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1N5830

更新时间： 2024-01-09 16:31:15

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NAINA		二极管
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2页	123K
描述
Schottky Power Diode, 25A

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1N5830 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.83	其他特性：	HIGH RELIABILITY
应用：	GENERAL PURPOSE	外壳连接：	ANODE
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	0.77 V
JEDEC-95代码：	DO-4	JESD-30 代码：	O-MUPM-D1
最大非重复峰值正向电流：	800 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	1
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-65 °C
最大输出电流：	25 A	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	POST/STUD MOUNT
参考标准：	MIL-19500	最大重复峰值反向电压：	30 V
最大反向电流：	3000 µA	表面贴装：	NO
技术：	SCHOTTKY	端子形式：	SOLDER LUG
端子位置：	UPPER

1N5830 数据手册

1N5829 thru

1N5831R

Naina Semiconductor Ltd.

Schottky Power Diode, 25A

Features

•

Fast Switching

Low forward voltage drop

High surge capability

High efficiency, low power loss

Normal and Reverse polarity

DO-203AA (DO-4)

Maximum Ratings (T_J= 25^oC, unless otherwise noted)

Parameter

Test Conditions

Symbol 1N5829(R)

1N5830(R)

1N5831(R)

Units

Repetitive peak reverse voltage

RMS reverse voltage

DC blocking voltage

V_RRM

V_RMS

V_DC

I_F

Continuous forward current

T_C≤ 100^oC

Surge non-repetitive forward

current, half-sine wave

T_C= 25^oC

t_p= 8.3 ms

I_FSM

V_F

800

I_F= 25 A

T_J= 25^oC

V_R= 20V, T_J= 25^oC

V_R= 20V, T_J= 125^oC

Forward voltage

Reverse current

0.58

I_R

250

Thermal & Mechanical Specifications (T_J= 25^oC, unless otherwise noted)

Parameters

Symbol 1N5829(R) 1N5830(R) 1N5831(R)

Units

^oC/W

^oC

Maximum thermal resistance, junction to case

Operating junction temperature range

Storage temperature

R_th(JC)

T_J

1.8

-55 to 150

-55 to 175

2.0

T_stg

^oC

Mounting torque (non-lubricated threads)

Approximate allowable weight

5.0

D-95, Sector 63, Noida – 201301, India

•

Tel: 0120-4205450

•

Fax: 0120-4273653

sales@nainasemi.com

•

www.nainasemi.com

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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