1N5819

更新时间： 2024-02-21 12:09:41

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		二极管
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5页	59K
描述
LOW DROP POWER SCHOTTKY RECTIFIER

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1N5819 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.56
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	R-PDSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-65 °C
最大输出电流：	1 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	最大功率耗散：	0.45 W
最大重复峰值反向电压：	40 V	表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

1N5819 数据手册

1N581x

Fig. 8-1: Reverse leakage current versus reverse

voltage applied (typical values) (1N5817/1N5818).

Fig. 8-2: Reverse leakage current versus reverse

voltage applied (typical values) (1N5819).

IR(mA)

1E+1

1N5818

Tj=125°C

1N5817

1E+0

Tj=100°C

1E-1

1E-2

Tj=25°C

VR(V)

1E-3

Fig. 9-1: Forward voltage drop versus forward

current (typical values) (1N5817/1N5818).

Fig. 9-2: Forward voltage drop versus forward

current (typical values) (1N5819).

IFM(A)

10.00

1.00

Tj=100°C

Tj=125°C

Tj=100°C

Tj=125°C

Tj=25°C

0.10

VFM(V)

0.01

0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9

0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1

Fig. 10: Non repetitive surge peak forward current

versus number of cycles.

IFSM(A)

Tj initial=25°C

F=50Hz

Number of cycles

10 100

1000

4/5

1 2 345

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