1N5819

更新时间： 2024-02-16 16:32:16

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		二极管
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描述
LOW DROP POWER SCHOTTKY RECTIFIER

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1N5819 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.56
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	R-PDSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-65 °C
最大输出电流：	1 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	最大功率耗散：	0.45 W
最大重复峰值反向电压：	40 V	表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

1N5819 数据手册

1N581x

THERMAL RESISTANCES

Symbol

Parameter

Value

Unit

R_{th (j-a)}

R_{th (j-l)}

Lead length = 10 mm

100

°C/W

Junction to ambient

Junction to lead

°C/W

STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Symbol

Parameter

Tests Conditions

1N5817 1N5818 1N5819

Unit

I_R*

0.5

Reverse leakage

current

Tj = 25°C

Tj = 100°C

V_R= V_RRM

V_F*

0.45

0.75

0.50

0.80

0.55

0.85

Forward voltage drop Tj = 25°C

Tj = 25°C

I_F= 1 A

I_F= 3 A

Pulse test : * tp = 380 µs, δ < 2%

To evaluate the conduction losses use the following equations :

P = 0.3 x I_F(AV)+ 0.090 I_{F2(RMS )}for 1N5817 / 1N5818

P = 0.3 x I_F(AV)+ 0.150 I_{F (RMS )}for 1N5819

Fig. 1: Average forward power dissipation versus

average forward current (1N5817/1N5818).

Fig. 2: Average forward power dissipation versus

average forward current (1N5819).

PF(av)(W)

0.6

0.7

δ = 0.1

δ = 0.5

δ = 0.2

δ = 0.5

δ = 0.2

δ = 0.1

0.6

0.5

0.4

0.3

0.2

0.1

0.0

0.5

0.4

0.3

0.2

0.1

0.0

δ = 0.05

δ = 1

=tp/T

IF(av) (A)

0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 1.2

Fig. 2-1: Average forward current versus ambient

temperature (δ=0.5) (1N5817/1N5818).

Fig. 2-2: Average forward current versus ambient

temperature (δ=0.5) (1N5819).

IF(av)(A)

1.2

Rth(j-a)=Rth(j-l)=45°C/W

1.0

0.8

Rth(j-a)=100°C/W

0.6

0.4

0.2

=tp/T

Tamb(°C)

0.0

100

125

150

100

125

150

2/5

123 4 5

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