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1N5819143

更新时间: 2024-09-25 14:46:07
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恩智浦 - NXP 二极管
页数 文件大小 规格书
7页 162K
描述
DIODE 1 A, 40 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode

1N5819143 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:O-LALF-W2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.58
Is Samacsys:N外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJESD-30 代码:O-LALF-W2
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:125 °C最大输出电流:1 A
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:40 V表面贴装:NO
技术:SCHOTTKY端子形式:WIRE
端子位置:AXIALBase Number Matches:1

1N5819143 数据手册

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