1N5819

更新时间： 2024-01-03 12:28:19

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		二极管
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5页	59K
描述
LOW DROP POWER SCHOTTKY RECTIFIER

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1N5819 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.56
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	R-PDSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-65 °C
最大输出电流：	1 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	最大功率耗散：	0.45 W
最大重复峰值反向电压：	40 V	表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

1N5819 数据手册

1N581x

Fig. 3: Normalized avalanche power derating

versus pulse duration.

Fig. 4: Normalized avalanche power derating

versus junction temperature.

(t )

(1µs)

ARM

(t )

(25°C)

ARM

1.2

0.1

0.8

0.6

0.4

0.2

0.01

T (°C)

t (µs)

0.001

100

125

150

0.01

0.1

100

1000

Fig. 5-1: Non repetitive surge peak forward

current versus overload duration

(maximum values) (1N5817/1N5818).

Fig. 5-2: Non repetitive surge peak forward

current versus overload duration

(maximum values) (1N5819).

IM(A)

Ta=25°C

Ta=75°C

Ta=100°C

δ=0.5

t(s)

δ=0.5

t(s)

1E-3

1E-2

1E-1

1E+0

1E-3

1E-2

1E-1

1E+0

Fig. 6: Relative variation of thermal impedance

junction to ambient versus pulse duration (epoxy

printed circuit board, e(Cu)=35mm, recommended

pad layout).

Fig. 7: Junction capacitance versus reverse

voltage applied (typical values).

C(pF)

Zth(j-a)/Rth(j-a)

500

1.0

F=1MHz

Tj=25°C

0.8

200

1N5817

0.6

100

δ = 0.5

1N5818

1N5819

0.4

δ = 0.2

0.2

δ = 0.1

=tp/T

tp(s)

1E+1

VR(V)

Single pulse

0.0

1E-1

1E+0

1E+2

1E+3

3/5

1 234 5

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