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14KESD30

更新时间: 2024-11-21 22:38:15
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美高森美 - MICROSEMI 瞬态抑制器二极管局域网
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2页 113K
描述
AXIAL LEAD

14KESD30 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Active
零件包装代码:DO-41包装说明:O-LALF-W2
针数:2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.69Is Samacsys:N
最小击穿电压:33.3 V外壳连接:ISOLATED
最大钳位电压:55.5 V配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码:DO-204ALJESD-30 代码:O-LALF-W2
JESD-609代码:e0最大非重复峰值反向功率耗散:4000 W
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:200 °C最低工作温度:-65 °C
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:1.5 W
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:30 V
最大反向电流:1 µA表面贴装:NO
技术:AVALANCHE端子面层:TIN LEAD
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

14KESD30 数据手册

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