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13002M

更新时间： 2023-12-06 20:10:40

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先科 - SWST		晶体管
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5页	232K
描述
小信号晶体管

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13002M 数据手册

13002M

NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor

Features

• Low Collector Emitter Saturation Voltage

Applications

1. Emitter 2. Collector 3. Base

TO-92 Plastic Package

• Audio output amplifier

• Power switching applications

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25℃)

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Value

Unit

Collector Base Voltage

Collector Emitter Voltage

Emitter Base Voltage

600

400

Collector Current

Peak Collector Current, Pulesd

Power Dissipation

I_CM

0.6

P_tot

℃

Operating Junction and Storage Temperature Range

T_j,T_stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

208

Unit

Thermal Resistance from Junction to Ambient

℃/W

1 / 5

Dated: 15/02/2023 Rev: 02

12 3 4 5

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