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13002MMY

更新时间： 2023-12-06 20:11:00

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先科 - SWST		晶体管
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5页	251K
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小信号晶体管

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13002MMY 数据手册

13002MMY

NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor

Features

• Low Collector Emitter Saturation Voltage

Applications

1. Base 2. Emitter 3. Collecter

DFN2020-3HM Plastic Package

• Audio output amplifier

• Power switching applications

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25℃)

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Value

Unit

Collector Base Voltage

Collector Emitter Voltage

Emitter Base Voltage

600

400

Collector Current

Peak Collector Current, Pulesd

Power Dissipation

I_CM

0.5

P_tot

℃

Operating Junction and Storage Temperature Range

T_j,T_stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

250

Unit

Thermal Resistance from Junction to Ambient ¹⁾

℃/W

¹⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, with minimum recommended pad layout.

1 / 5

Dated: 24/02/2022 Rev: 01

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