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13002MU

更新时间： 2023-12-06 20:03:09

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先科 - SWST		晶体管
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5页	1141K
描述
小信号晶体管

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13002MU 数据手册

13002MU

NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor

Features

• Low Collector Emitter Saturation Voltage

Applications

• Audio output amplifier

• Power switching applications

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25 )

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Value

Unit

Collector Base Voltage

600

Collector Emitter Voltage

Emitter Base Voltage

400

Collector Current

Peak Collector Current, Pulesd

Power Dissipation

I_CM

0.8

P_tot

Operating Junction and Storage Temperature Range

T_j,T_stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Value

156

Unit

Thermal Resistance from Junction to Ambient ¹⁾

¹⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, with minimum recommended pad layout.

1 / 5

Dated: 21/07/2023 Rev: 03

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