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12CWQ03FNPBF

更新时间： 2024-11-15 07:26:07
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 整流二极管
页数 文件大小 规格书
7页 140K
描述
Schottky Rectifier, 2 x 6 A

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12CWQ03FNPBF 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-252AA
包装说明：R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.14
Is Samacsys：N其他特性：FREEWHEELING DIODE, HIGH RELIABILITY
应用：HIGH POWER外壳连接：CATHODE
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.37 V
JEDEC-95代码：TO-252AAJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：320 A元件数量：2
相数：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：6 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：30 V子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30
Base Number Matches：1

12CWQ03FNPBF 数据手册

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VS-12CWQ03FNPbF  
Vishay Semiconductors  
Schottky Rectifier, 2 x 6 A  
FEATURES  
• Popular D-PAK outline  
Base  
common  
cathode  
4
• Center tap configuration  
• Small foot print, surface mountable  
• Low forward voltage drop  
• High frequency operation  
2
Common  
cathode  
• Guard ring for enhanced ruggedness and long term  
reliability  
D-PAK (TO-252AA)  
1
3
Anode  
Anode  
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC  
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of  
260 °C  
PRODUCT SUMMARY  
Package  
D-PAK (TO-252AA)  
2 x 6 A  
DESCRIPTION  
IF(AV)  
The VS-12CWQ03FNPbF surface mount, center tap,  
Schottky rectifier series has been designed for applications  
requiring low forward drop and small foot prints on PC  
board. Typical applications are in disk drives, switching  
power supplies, converters, freewheeling diodes, battery  
charging, and reverse battery protection.  
VR  
30 V  
VF at IF  
IRM  
0.37 V  
58 mA at 125 °C  
150 °C  
TJ max.  
Diode variation  
EAS  
Common cathode  
10 mJ  
MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
IF(AV)  
VRRM  
IFSM  
CHARACTERISTICS  
VALUES  
12  
UNITS  
Rectangular waveform  
A
V
30  
tp = 5 μs sine  
320  
A
VF  
6 Apk, TJ = 125 °C (per leg)  
Range  
0.37  
V
TJ  
- 55 to 150  
°C  
VOLTAGE RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
VS-12CWQ03FNPbF  
30  
UNITS  
Maximum DC reverse voltage  
Maximum working peak reverse voltage  
VR  
V
VRWM  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
VALUES  
UNITS  
Maximum average  
forward current  
See fig. 5  
per leg  
6
IF(AV)  
50 % duty cycle at TC = 135 °C, rectangular waveform  
A
per device  
12  
Maximum peak one cycle  
non-repetitive surge current per leg  
See fig. 7  
Following any rated  
load condition and with  
rated VRRM applied  
5 μs sine or 3 μs rect. pulse  
320  
IFSM  
A
10 ms sine or 6 ms rect. pulse  
TJ = 25 °C, IAS = 2.0 A, L = 5 mH  
130  
10  
Non-repetitive avalanche energy per leg  
Repetitive avalanche current per leg  
EAS  
IAR  
mJ  
A
Current decaying linearly to zero in 1 μs  
Frequency limited by TJ maximum VA = 1.5 x VR typical  
2.0  
Document Number: 94132  
Revision: 14-Jan-11  
For technical questions within your region, please contact one of the following:  
DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
www.vishay.com  
1
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12CWQ03FNPBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
STPS15L30CB-TR STMICROELECTRONICS

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