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Datasheet > 触发装置 > 可控硅整流器> 10RIA100S90
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10RIA100S90

更新时间： 2024-09-17 06:19:07
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 栅极触发装置可控硅整流器
页数 文件大小 规格书
8页 152K
描述
Medium Power Thyristors (Stud Version), 10 A

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10RIA100S90 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-48
包装说明：POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D2针数：2
Reach Compliance Code：compliantHTS代码：8541.30.00.80
风险等级：5.19Is Samacsys：N
其他特性：HIGH RELIABILITY标称电路换相断开时间：110 µs
配置：SINGLE最大直流栅极触发电流：60 mA
最大直流栅极触发电压：2 V最大维持电流：130 mA
JEDEC-95代码：TO-208AAJESD-30 代码：O-MUPM-D2
最大漏电流：10 mA通态非重复峰值电流：240 A
元件数量：1端子数量：2
最大通态电流：10000 A最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-65 °C封装主体材料：METAL
封装形状：ROUND封装形式：POST/STUD MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大均方根通态电流：25 A断态重复峰值电压：1000 V
重复峰值反向电压：1000 V子类别：Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装：NO端子形式：SOLDER LUG
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
触发设备类型：SCRBase Number Matches：1

10RIA100S90 数据手册

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10RIA Series  
Medium Power Thyristors  
(Stud Version), 10 A  
Vishay High Power Products  
THERMAL AND MECHANICAL SPECIFICATIONS  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
VALUES  
UNITS  
Maximum operating junction  
and storage temperature range  
TJ, TStg  
- 65 to 125  
°C  
Maximum thermal resistance,  
junction to case  
RthJC  
DC operation  
1.85  
0.35  
K/W  
Maximum thermal resistance,  
case to heatsink  
RthCS  
Mounting surface, smooth, flat and greased  
TO NUT  
TO DEVICE  
20 (27.5)  
0.23 (0.32)  
2.3 (3.1)  
25  
0.29  
2.8  
lbf ⋅ in  
kgf · m  
N · m  
g
Lubricated threads  
(Non-lubricated threads)  
Mounting torque  
14  
Approximate weight  
Case style  
0.49  
oz.  
See dimensions - link at the end of datasheet  
TO-208AA (TO-48)  
ΔRthJC CONDUCTION  
CONDUCTION ANGLE  
SINUSOIDAL CONDUCTION  
RECTANGULAR CONDUCTION  
TEST CONDITIONS  
UNITS  
0.44  
0.53  
0.68  
1.01  
1.71  
0.32  
0.56  
0.75  
1.05  
1.73  
180°  
120°  
90°  
TJ = TJ maximum  
K/W  
60°  
30°  
Note  
• The table above shows the increment of thermal resistance RthJC when devices operate at different conduction angles than DC  
130  
120  
110  
100  
90  
130  
120  
110  
100  
90  
10RIA Series  
thJC  
10RIA Series  
thJC  
R
(DC) = 1.85 K/W  
R
(DC) = 1.85 K/W  
Conduction Angle  
Conduction Period  
80  
80  
30°  
30°  
60°  
60°  
70  
70  
90°  
90°  
120°  
180°  
120°  
15  
60  
60  
180°  
50  
50  
DC  
40  
40  
0
2
4
6
8
10 12 14 16 18  
0
5
10  
20  
25  
30  
Average On-state Current (A)  
Average On-state Current (A)  
Fig. 2 - Current Ratings Characteristics  
Fig. 1 - Current Ratings Characteristics  
www.vishay.com  
4
For technical questions, contact: ind-modules@vishay.com  
Document Number: 93689  
Revision: 06-Jun-08  
12345678

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与10RIA100S90相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
10RIA100S90PBF VISHAY

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 		Silicon Controlled Rectifier, 25A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element, TO-208AA
10RIA10LPBF VISHAY

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 		Silicon Controlled Rectifier, 15.7A I(T)RMS, 100V V(DRM), 100V V(RRM), 1 Element, TO-208AA
10RIA10M VISHAY

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 		Medium Power Thyristors (Stud Version), 10 A
10RIA10M INFINEON

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 		MEDIUM POWER THYRISTORS
10RIA10MPBF INFINEON

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 		暂无描述
10RIA10MS90 VISHAY

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 		Medium Power Thyristors (Stud Version), 10 A
10RIA10MS90 INFINEON

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10RIA10MS90PBF INFINEON

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10RIA10S90 INFINEON

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10RIA10S90 VISHAY

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