是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
零件包装代码: | TO-220AB | 包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.12 | 雪崩能效等级(Eas): | 388 mJ |
外壳连接: | ISOLATED | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 500 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 10 A |
最大漏极电流 (ID): | 10 A | 最大漏源导通电阻: | 0.61 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-220AB |
JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 48 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 40 A |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | NO |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
10N50TV | ANAREN |
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RF/Microwave Termination, 0MHz Min, 6000MHz Max, 50ohm | |
10N50TVR | ANAREN |
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RF/Microwave Termination, 0MHz Min, 6000MHz Max, 50ohm | |
10N60 | UTC |
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10 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET | |
10N60 | SUNMATE |
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N-CHANNEL POWER MOSFET | |
10N60_10 | UTC |
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10 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET | |
10N60_12 | UTC |
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10A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET | |
10N60_15 | UTC |
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N-CHANNEL POWER MOSFET | |
10N60-A-TA3-T | UTC |
获取价格 |
10 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET | |
10N60-B-TA3-T | UTC |
获取价格 |
10 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET | |
10N60C5M | IXYS |
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CoolMOS Power MOSFET |