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10A8-T

更新时间： 2024-11-24 20:05:23

品牌	Logo	应用领域
RECTRON		二极管
页数	文件大小	规格书
2页	23K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 10A, 800V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, R-6, 2 PIN

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10A8-T 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	ROHS COMPLIANT, PLASTIC, R-6, 2 PIN
针数：	2	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.64	应用：	GENERAL PURPOSE
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	O-PALF-W2	JESD-609代码：	e3
最大非重复峰值正向电流：	400 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
最大输出电流：	10 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：	265	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	800 V	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

10A8-T 数据手册

10A05

THRU

10A10

RECTRON

SEMICONDUCTOR

TECHNICAL SPECIFICATION

SILICON RECTIFIER

VOLTAGE RANGE 50 to 1000 Volts CURRENT 10 Amperes

FEATURES

* Low cost

* Low leakage

* Low forward voltage drop

* High current capability

* High surge current capability

R-6

MECHANICAL DATA

* Case: Molded plastic

(

)

.052 1.3

* Epoxy: Device has UL flammability classification 94V-O

* Lead: MIL-STD-202E method 208C guaranteed

* Mounting position: Any

DIA.

(

)

(

)

1.0 25.4

.048 1.2

MIN.

* Weight: 2.08 grams

(

)

.360 9.1

(

)

.340 8.6

(

)

.360 9.1

DIA.

(

)

.340 8.6

(

)

1.0 25.4

MIN.

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Ratings at 25 ^oC ambient temperature unless otherwise specified.

Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.

For capacitive load, derate current by 20%.

Dimensions in inches and (millimeters)

MAXIMUM RATINGS (At T

= 25^oC unless otherwise noted)

RATINGS

SYMBOL

10A05

10A1

100

10A2

200

10A4

400

10A6

600

10A8

800

10A10

1000

UNITS

Volts

RRM

Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage

Maximum RMS Voltage

RMS

140

200

280

400

420

600

560

800

700

100

1000

Maximum DC Blocking Voltage

Maximum Average Forward Rectified Current

Amps

at TA

= 50^oC

Peak Forward Surge Current 8.3 ms single half sine-wave

superimposed on rated load (JEDEC method)

FSM

400

125

⁰C/W

⁰C

Typical Junction Capacitance (Note)

Typical Thermal Resistance

R θ J A

, TSTG

Operating and Storage Temperature Range

-65 to + 150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (At TA

= 25^oC unless otherwise noted)

CHARACTERISTICS

SYMBOL

10A05

10A1

10A2

10A4

1.1

10A6

10A8

10A10 UNITS

Volts

Maximum Instantaneous Forward Voltage at 10A DC

= 25^oC

= 100^oC

Maximum DC Reverse Current

at Rated DC Blocking Voltage

uAmps

2002-3

100

Maximum Full Load Reverse Current Average Full Cycle

.375” (9.5mm) lead length at T

= 75^oC

NOTES : Measured at 1 MH and applied reverse voltage of 4.0 volts

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与10A8-T相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
10A8-T3	WTE	获取价格	10A STANDARD DIODE
10A8-T3-LF	WTE	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 10A, 800V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, P
10ABS	MSYSTEM	获取价格	High-density Signal Conditioners 10-RACK
10ABS-AA-R	MSYSTEM	获取价格	High-density Signal Conditioners 10-RACK
10ABS-AA-R/C01	MSYSTEM	获取价格	High-density Signal Conditioners 10-RACK
10ABS-AA-R/C02	MSYSTEM	获取价格	High-density Signal Conditioners 10-RACK
10ABS-AA-R/C03	MSYSTEM	获取价格	High-density Signal Conditioners 10-RACK
10AC12D	ETC	获取价格	Analog IC
10AC12S	ETC	获取价格	Analog IC
10AC12T5	ETC	获取价格	Analog IC

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