1011LD110A

更新时间： 2024-11-18 06:18:15

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美高森美 - MICROSEMI		晶体晶体管功率场效应晶体管脉冲电子航空局域网
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110 Watts, 32 Volts Pulsed Avionics 1030 to 1090 MHz LDMOS FET

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1011LD110A 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	55QZ, 2 PIN
针数：	2	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.76	Is Samacsys：	N
外壳连接：	SOURCE	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	65 V	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-CDFM-F2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

1011LD110A 数据手册

1011LD110A

110 Watts, 32 Volts

Pulsed Avionics 1030 to 1090 MHz

LDMOS FET

GENERAL DESCRIPTION

The 1011LD110A is a COMMON SOURCE N-Channel enhancement mode lateral

MOSFET capable of providing 110W_pkof RF power from 1030MHz to 1090 MHz.

The device is nitride passivated and utilizes gold metallization to ensure highest

MTTF. The transistor includes input and output prematch for broadband capability.

Low thermal resistance package reduces junction temperature, extends life.

Integrated ESD protection makes the device robust.

CASE OUTLINE

55QZ

(Common Source)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Voltage and Current

Drain-Source (V_DSS

Gate-Source (V_GS,V_DS=0)

)

+65V

+20V

Temperatures

Storage Temperature

-65 to +150°C

+100°C

Operating Case Temperature¹

ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C

SYMBOL CHARACTERISTICS

TEST CONDITIONS

V_GS= 0V, I_D= 2mA

Drain-Source Leakage Current V_DS= 32V, V_GS= 0V

MIN TYP MAX UNITS

BV_DSS

I_DSSF

Drain-Source Breakdown

µA

I_GSSF

Gate-Source Leakage Current

Gate Threshold Voltage

Drain-Source On Voltage

Forward Transconductance

Thermal Resistance

V_GS= 10V, V_DS= 0V

V_DS= 10V, I_D= 3mA

V_GS= 10V, I_D= 1A

V_DS= 10V, I_D= 1A

V_GS(TH)

V_DS(ON)

g_FS

0.25

2.2

0.1

0.5

5:1

ºC/W

θ_JC

FUNCTIONAL CHARACTERISTICS @ 25°C, Vds = 32V, I_DQ= 250mA

G_PS

Common Source Power Gain

Pulse Droop

Pulse width = 32ꢀs, LTDC=2%

F=1030/1090 MHz, P_out= 110W

Output Power at 1dB Gain

Compression

Pulse width = 32ꢀs, LTDC=2%,

F=1030/1090 MHz

P_1dB

110

η_D

Drain Efficiency

Load Mismatch

F = 1030 MHz, P_out= 110W

F = 1090 MHz, P_out= 110W

NOTES: 1. At rated output power and pulse conditions

2. Pulse Format 1: 32µs, 2% Long Term Duty Factor

3. Pulsed Bias: I_DQ-PULSED= 6.5mA (@ 42us ON, 1.6msec)

Rev. 0 – Apr. 2007

Microsemi reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein.

Visit our web site at www.microsemi.com or contact our factory direct.

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
1011LD110B	NXP	获取价格	RF Manual 16th edition
1011LD110B	MICROSEMI	获取价格	110 Watts, 32 Volts Pulsed Avionics 1030 to 1090 MHz LDMOS FET
1011LD200	ADPOW	获取价格	200 Watts, 32 Volts Pulsed Avionics 1030 to 1090 MHz LDMOS FET
1011LD300	ADPOW	获取价格	300 Watts, 32 Volts Pulsed Avionics 1030 to 1090 MHz LDMOS FET
1012	TE	获取价格	WILMAR™ Protective Relays - 1000 Series
1012-00-0057	JDSU	获取价格	Stealth Digital Analyzer
10120009-101LF	AMPHENOL	获取价格	Board Connector, 150 Contact(s), 15 Row(s), Male, Right Angle, 0.079 inch Pitch, Press Fit
10120045-200LF	AMPHENOL	获取价格	Board Connector,
10120045-401LF	AMPHENOL	获取价格	Board Connector,
10120045-H02LF	AMPHENOL	获取价格	Board Connector, 2 Contact(s), 1 Row(s), Female, Crimp Terminal, Latch

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