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10-EZ06PMA030SA-L926A38T

更新时间： 2023-09-03 20:25:20

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描述
Easy paralleling;Low turn-off losses;Low collector emitter saturation voltage;Positive temperature coefficient;Short tail current

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10-EZ06PMA030SA-L926A38T 数据手册

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10-EZ06PMA030SA-L926A38T

datasheet

Characteristic Values

Symbol

Parameter

Conditions

Values

Typ

Unit

V_CE[V] I_C[A]

V_DS[V] I_D[A] T_j[°C]

V_GE[V]

V_GS[V]

Min

Max

V_F[V]

I_F[A]

Brake Diode

Static

1,25

1,61

1,56

1,95⁽¹⁾

V_F

I_R

Forward voltage

150

Reverse leakage current

V_r= 600 V

µA

Thermal

λ_paste= 3,4 W/mK

(PSX)

(2)

R_th(j-s)

Thermal resistance junction to sink

Dynamic

2,33

K/W

6,44

7,76

I_RRM

Peak recovery current

125

150

8,24

275,29

370,99

408,63

0,704

1,28

t_rr

Reverse recovery time

125

150

di/dt=559 A/µs

di/dt=513 A/µs

di/dt=456 A/µs

Q_r

Recovered charge

0/15

400

125

150

μC

1,48

0,17

E_rec

Reverse recovered energy

Peak rate of fall of recovery current

125

150

0,308

0,364

838,81

14,34

13,62

mWs

A/µs

(di_rf/dt)_max

125

150

14 May. 2021 / Revision 3

1...4 5 678 9 10...29

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10EZ100A	MICROSEMI	Silicon 10 WATT Zener Diodes	获取价格
10EZ100AR	MICROSEMI	Zener Diode, 100V V(Z), 5%, 10W, Silicon, Unidirectional, TO-220AB, TO-220, 3 PIN	获取价格
10EZ100R	MICROSEMI	Zener Diode, 100V V(Z), 10%, 10W, Silicon, Unidirectional, TO-220AB, TO-220, 3 PIN	获取价格
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