二极管裸片

更新时间： 2024-11-22 14:58:39

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英飞凌 - INFINEON		双极性晶体管二极管
页数	文件大小	规格书
4页	67K
描述
得益于超薄晶片和电场中止技术，以及降低IGBT的导通损耗和软恢复能力，发射极控制二极管非常适合消费类和工业应用。发射极控制二极管针对英飞凌IGBT技术进行了优化，是其理想之选。

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二极管裸片数据手册

Preliminary

SIDC56D120E6

Fast switching diode chip in EMCON-Technology

FEATURES:

This chip is used for:

EUPEC power modules and

discrete devices

1200V EMCON technology 130 µm chip

soft, fast switching

low reverse recovery charge

small temperature coefficient

Applications:

SMPS, resonant applications,

drives

Chip Type

V_R

I_F

Die Size

7.5 x 7.5 mm²

Package

Ordering Code

Q67050-A4127-

A001

SIDC56D120E6

1200V 75A

sawn on foil

MECHANICAL PARAMETER:

Raster size

7.5 x 7.5

56.25 / 46.65

6.78 x 6.78

130

mm²

Area total / active

Anode pad size

Thickness

µm

deg

Wafer size

150

Flat position

180

Max. possible chips per wafer

Passivation frontside

Anode metallisation

248 pcs

Photoimide

3200 nm AlSiCu

1400 nm Ni Ag –system

suitable for epoxy and soft solder die bonding

Cathode metallisation

Die bond

electrically conductive glue or solder

Wire bond

Al, £500µm

Reject Ink Dot Size

Æ 0.65mm ; max 1.2mm

store in original container, in dry nitrogen,

< 6 month at an ambient temperature of 23°C

Recommended Storage Environment

Edited by INFINEON Technologies AI PS DD HV3, L 4222P, Edition 1, 8.01.2002

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