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片式晶闸管/二极管

更新时间: 2024-11-19 14:58:39
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英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
10页 239K
描述
所有片式元器件均采用高度可靠、稳健、密封的陶瓷外壳,以避免物理损伤和几乎所有潜在的负面环境影响,例如潮湿。作为产品系列的延伸,片式光触发晶闸管(LTT)也包含其中。功率范围涵盖5200 V至800

片式晶闸管/二极管 数据手册

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Datenblatt / Data sheet  
N
Netz-Thyristor  
Phase Control Thyristor  
T360N  
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties  
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values  
2000  
2200  
2400 V  
2600 V  
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung Tvj = -40°C... Tvj max  
VDRM,VRRM  
repetitive peak forward off-state and reverse voltages  
Rückwärts-Stossspitzensperrspannung  
non-repetitive peak reverse voltage  
2000  
2200  
2400 V  
2600 V  
Vorwärts-Stossspitzensperrspannung  
Tvj = -40°C... Tvj max  
Tvj = +25°C... Tvj max  
VDSM  
non-repetitive peak forward off-state voltage  
2100  
2300  
2500 V  
2700 V  
VRSM  
550 A  
360 A  
510 A  
800 A  
Durchlassstrom-Grenzeffektivwert  
maximum RMS on-state current  
ITRMSM  
ITAVM  
Dauergrenzstrom  
average on-state current  
TC = 85 °C  
Dauergrenzstrom  
average on-state current  
TC = 55 °C, θ = 180°sin, tP = 10 ms ITAVM  
Durchlaßstrom-Effektivwert  
RMS on-state current  
ITRMS  
5000 A  
4500 A  
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms  
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms  
Stossstrom-Grenzwert  
surge current  
ITSM  
125 10³ A²s  
100 10³ A²s  
Grenzlastintegral  
I²t-value  
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms  
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms  
I²t  
DIN IEC 60747-6  
60 A/µs  
Kritische Stromsteilheit  
(diT/dt)cr  
(dvD/dt)cr  
f = 50 Hz, iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs  
critical rate of rise of on-state current  
Kritische Spannungssteilheit  
critical rate of rise of off-state voltage  
Tvj = Tvj max, vD = 0,67 VDRM  
5.Kennbuchstabe / 5th letter C  
5.Kennbuchstabe / 5th letter F  
500 V/µs  
1000 V/µs  
Charakteristische Werte / Characteristic values  
Durchlassspannung  
on-state voltage  
max.  
max.  
2,88 V  
1,54 V  
Tvj = Tvj max, iT = 1100 A  
Tvj = Tvj max, iT = 300 A  
vT  
1,1 V  
Schleusenspannung  
threshold voltage  
Ersatzwiderstand  
slope resistance  
Durchlasskennlinie  
on-state characteristic  
Tvj = Tvj max  
Tvj = Tvj max  
Tvj = Tvj max  
V(TO)  
rT  
1,6 mΩ  
100 A iT 1800 A  
A=  
6,180E-01  
B=  
C=  
D=  
2,031E-03  
1,451E-01  
-2,943E-02  
vT = A + B iT + C ln(iT + 1) + D  
iT  
Zündstrom  
Tvj = 25 °C, vD = 12V  
Tvj = 25 °C, vD = 12V  
IGT  
max.  
200 mA  
gate trigger current  
Zündspannung  
gate trigger voltage  
Nicht zündender Steuerstrom  
gate non-trigger current  
VGT  
IGD  
max.  
2 V  
Tvj = Tvj max, vD = 12V  
Tvj = Tvj max, vD = 0,5 VDRM  
max.  
max.  
10 mA  
5 mA  
Nicht zündende Steuerspannung  
gate non-trigger voltage  
Tvj = Tvj max, vD = 0,5 VDRM  
VGD  
IH  
max.  
0,2 V  
Haltestrom  
holding current  
Tvj = 25°C, vD = 12V  
max.  
300 mA  
Einraststrom  
latching current  
Tvj = 25°C, vD = 12V, RGK 10 Ω  
iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs, tg = 20 µs  
IL  
max. 1200 mA  
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom  
forward off-state and reverse current  
Tvj = Tvj max  
iD, iR  
tgd  
max.  
max.  
50 mA  
4 µs  
vD = VDRM, vR = VRRM  
Zündverzug  
gate controlled delay time  
DIN IEC 60747-6  
Tvj = 25 °C, iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs  
H.Sandmann  
date of publication: 2009-12-07  
prepared by:  
revision:  
3.1  
approved by: M.Leifeld  
IFBIP D AEC / 2009-12-07, H.Sandmann  
A 32/09  
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1/10  

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