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片式晶闸管/二极管

更新时间： 2024-11-06 14:58:39

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英飞凌 - INFINEON		/
页数	文件大小	规格书
10页	239K
描述
所有片式元器件均采用高度可靠、稳健、密封的陶瓷外壳，以避免物理损伤和几乎所有潜在的负面环境影响，例如潮湿。作为产品系列的延伸，片式光触发晶闸管（LTT）也包含其中。功率范围涵盖5200 V至800

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片式晶闸管/二极管数据手册

Datenblatt / Data sheet

Netz-Thyristor

Phase Control Thyristor

T360N

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

2000

2200

2400 V

2600 V

Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung T_vj= -40°C... T_{vj max}

V_DRM,V_RRM

enndaten

repetitive peak forward off-state and reverse voltages

Elektrische Eigenschaften

Rückwärts-Stossspitzensperrspannung

non-repetitive peak reverse voltage

2000

2200

2400 V

2600 V

Vorwärts-Stossspitzensperrspannung

T_vj= -40°C... T_{vj max}

T_vj= +25°C... T_{vj max}

V_DSM

non-repetitive peak forward off-state voltage

2100

2300

2500 V

2700 V

V_RSM

550 A

360 A

510 A

800 A

Durchlassstrom-Grenzeffektivwert

maximum RMS on-state current

I_TRMSM

I_TAVM

Dauergrenzstrom

average on-state current

T_C= 85 °C

Dauergrenzstrom

average on-state current

T_C= 55 °C, θ = 180°sin, t_P= 10 ms I_TAVM

Durchlaßstrom-Effektivwert

RMS on-state current

I_TRMS

5000 A

4500 A

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

Stossstrom-Grenzwert

surge current

I_TSM

125 10³ A²s

100 10³ A²s

Grenzlastintegral

I²t-value

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

I²t

DIN IEC 60747-6

60 A/µs

Kritische Stromsteilheit

(di_T/dt)_cr

(dv_D/dt)_cr

f = 50 Hz, i_GM= 1 A, di_G/dt = 1 A/µs

critical rate of rise of on-state current

Kritische Spannungssteilheit

critical rate of rise of off-state voltage

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,67 V_DRM

5.Kennbuchstabe / 5^thletter C

5.Kennbuchstabe / 5^thletter F

500 V/µs

1000 V/µs

Charakteristische Werte / Characteristic values

Durchlassspannung

on-state voltage

max.

2,88 V

1,54 V

T_vj= T_{vj max}, i_T= 1100 A

T_vj= T_{vj max}, i_T= 300 A

v_T

1,1 V

Schleusenspannung

threshold voltage

Ersatzwiderstand

slope resistance

Durchlasskennlinie

on-state characteristic

T_vj= T_{vj max}

V_(TO)

r_T

1,6 mΩ

100 A ≤ i_T≤ 1800 A

6,180E-01

2,031E-03

1,451E-01

-2,943E-02

v_T= A + B i_T+ C ln(i_T+ 1) + D

i_T

Zündstrom

T_vj= 25 °C, v_D= 12V

I_GT

max.

200 mA

gate trigger current

Zündspannung

gate trigger voltage

Nicht zündender Steuerstrom

gate non-trigger current

V_GT

I_GD

max.

2 V

T_vj= T_{vj max}, v_D= 12V

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,5 V_DRM

max.

10 mA

5 mA

Nicht zündende Steuerspannung

gate non-trigger voltage

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,5 V_DRM

V_GD

I_H

max.

0,2 V

Haltestrom

holding current

T_vj= 25°C, v_D= 12V

max.

300 mA

Einraststrom

latching current

T_vj= 25°C, v_D= 12V, R_GK≥ 10 Ω

i_GM= 1 A, di_G/dt = 1 A/µs, t_g= 20 µs

I_L

max. 1200 mA

Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom

forward off-state and reverse current

T_vj= T_{vj max}

i_D, i_R

t_gd

max.

50 mA

4 µs

v_D= V_DRM, v_R= V_RRM

Zündverzug

gate controlled delay time

DIN IEC 60747-6

T_vj= 25 °C, i_GM= 1 A, di_G/dt = 1 A/µs

H.Sandmann

date of publication: 2009-12-07

prepared by:

revision:

3.1

approved by: M.Leifeld

IFBIP D AEC / 2009-12-07, H.Sandmann

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汽车级MOSFET	INFINEON	获取价格	通过使用英飞凌汽车功率MOSFET之类的高质量器件，工程师和汽车制造商可将MOSFET相关
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燃油	LITTELFUSE	获取价格	Littelfuse Pulsed WaveGuide?（PWG?）传感器技术正在申请专利
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