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ZXTP25040DFLTA

更新时间: 2024-11-25 07:42:23
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美台 - DIODES /
页数 文件大小 规格书
8页 386K
描述
40V, SOT23, PNP low power transistor

ZXTP25040DFLTA 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active零件包装代码:SOT-23
包装说明:SOT-23, 3 PIN针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
Factory Lead Time:15 weeks风险等级:1.19
最大集电极电流 (IC):1.5 A集电极-发射极最大电压:40 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):15
JESD-30 代码:R-PDSO-G3JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:PNP最大功率耗散 (Abs):0.35 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子面层:Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):270 MHz
Base Number Matches:1

ZXTP25040DFLTA 数据手册

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ZXTP25040DFL  
40V, SOT23, PNP low power transistor  
Summary  
BV  
BV  
> -40V  
CEO  
ECO  
> -3V  
I
= -1.5A  
C(cont)  
V
< -115mV @ 1A  
= 82m  
CE(sat)  
CE(sat)  
R
P = 350mW  
D
Complementary part number ZXTN25040DFL  
Description  
C
E
Advanced process capability has been used to achieve high current gain  
hold up making this device ideal for applications requiring high pulse  
currents.  
B
Features  
High peak current  
Low saturation voltage  
40V forward blocking voltage  
Applications  
E
B
MOSFET and IGBT gate driving  
Low power DC-DC conversion  
C
Ordering information  
Device  
Reel size  
(inches)  
Tape width  
(mm)  
Quantity per reel  
Pinout - top view  
ZXTP25040DFLTA  
7
8
3,000  
Device marking  
1A2  
Issue 3 - January 2007  
© Zetex Semiconductors plc 2007  
1
www.zetex.com  

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