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ZXTP25040DZTA

更新时间: 2024-11-21 07:42:23
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 晶体晶体管功率双极晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 380K
描述
40V PNP medium power transistor in SOT89

ZXTP25040DZTA 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active零件包装代码:SOT-89
包装说明:SOT-89, 3 PIN针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
Factory Lead Time:15 weeks风险等级:1.19
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):3 A
集电极-发射极最大电压:40 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):20JESD-30 代码:R-PSSO-F3
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:PNP
最大功率耗散 (Abs):15.7 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子面层:Matte Tin (Sn)端子形式:FLAT
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:40
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):270 MHz
Base Number Matches:1

ZXTP25040DZTA 数据手册

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ZXTP25040DZ  
40V PNP medium power transistor in SOT89  
Summary  
BV  
BV  
> -40V  
CEO  
ECO  
> -3V  
I
= -3.5A  
C(cont)  
R
= 55m  
< -90mV @ 1A  
CE(sat)  
V
CE(sat)  
P = 2.4W  
D
Complementary part number ZXTN25040DZ  
Description  
C
E
Advanced process capability and package design have been used to  
maximize the power handling and performance of this small outline  
transistor. The compact size and ratings of this device make it ideally  
suited to applications where space is at a premium.  
B
Features  
High power dissipation SOT89 package  
High peak current  
Low saturation voltage  
3V reverse blocking voltage  
Applications  
E
C
B
MOSFET and IGBT gate driving  
DC - DC converters  
Motor drive  
C
High side driver  
Pinout - top view  
Ordering information  
Device  
Reel size  
(inches)  
Tape width  
(mm)  
Quantity  
per reel  
ZXTP25040DZTA  
Device marking  
7
12  
1000  
1L6  
Issue 1 - December 2007  
© Zetex Semiconductors plc 2007  
1
www.zetex.com  

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