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ZXT10P20DE6

更新时间: 2024-01-11 02:50:48
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美台 - DIODES 晶体开关晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 235K
描述
20V PNP SILICON LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR

ZXT10P20DE6 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Transferred
包装说明:SUPERSOT-6Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.14
最大集电极电流 (IC):2.5 A集电极-发射极最大电压:20 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):15
JESD-30 代码:R-PDSO-G6JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:6最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:PNP认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子面层:Matte Tin (Sn)端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:30
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):180 MHzBase Number Matches:1

ZXT10P20DE6 数据手册

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ZXT10P20DE6  
TYPICAL CHARACTERISTICS  
ISSUE 1 - SEPTEMBER 2000  
5

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