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ZXMS6006DGTA

更新时间： 2024-01-15 21:09:13
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES /
页数 文件大小 规格书
9页 240K
描述
60V N-CHANNEL SELF PROTECTED ENHANCEMENT MODE INTELLIFET MOSFET

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ZXMS6006DGTA 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-261AA
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4针数：4
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：2.19其他特性：HIGH RELIABILITY, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏源导通电阻：0.125 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-261AA
JESD-30 代码：R-PDSO-G4JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：4工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：1.6 W认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

ZXMS6006DGTA 数据手册

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A Product Line of  
Diodes Incorporated  
ZXMS6006DG  
Electrical Characteristics @TA = 25°C unless otherwise specified  
Characteristic  
Static Characteristics  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
Test Condition  
Drain-Source Clamp Voltage  
60  
-
65  
-
70  
1
V
µA  
V
VDS(AZ)  
IDSS  
VIN(th)  
IIN  
ID = 10mA  
VDS = 12V, VIN = 0V  
DS = 36V, VIN = 0V  
Off State Drain Current  
-
-
2
V
Input Threshold Voltage  
0.7  
-
1
1.5  
100  
200  
400  
125  
100  
-
VDS = VGS, ID = 1mA  
VIN = +3V  
60  
120  
-
Input Current  
μA  
μA  
mΩ  
-
V
IN = +5V  
Input Current While Over Temperature Active  
Static Drain-Source On-State Resistance  
-
-
VIN = +5V  
-
85  
75  
-
VIN = +3V, ID = 1A  
RDS(on)  
-
V
IN = +5V, ID = 1A  
2.0  
2.2  
2.6  
2.8  
4
VIN = 3V; TA = 25°C  
Continuous Drain Current (Note 4)  
Continuous Drain Current (Note 5)  
Current Limit (Note 7)  
-
-
V
V
V
IN = 5V; TA = 25°C  
IN = 3V; TA = 25°C  
IN = 5V; TA = 25°C  
A
A
ID  
-
-
-
-
8
-
VIN = +3V  
ID(LIM)  
6
13  
-
V
IN = +5V  
Dynamic Characteristics  
Turn On Delay Time  
-
-
-
-
8.6  
18  
34  
15  
-
-
-
-
td(on)  
tr  
td(off)  
ff  
Rise Time  
μs  
V
DD = 12V, ID = 1A, VGS = 5V  
Turn Off Delay Time  
Fall Time  
Over-Temperature Protection  
Thermal Overload Trip Temperature (Note 8)  
Thermal Hysteresis (Note 8)  
150  
-
175  
10  
-
-
-
-
TJT  
ff  
°C  
°C  
Notes:  
7. The drain current is restricted only when the device is in saturation (see graph ‘typical output characteristic’). This allows the device to be used in the fully  
on state without interference from the current limit. The device is fully protected at all drain currents, as the low power dissipation generated outside  
saturation makes current limit unnecessary.  
8. Over-temperature protection is designed to prevent device destruction under fault conditions. Fault conditions are considered as “outside” normal  
operating range, so this part is not designed to withstand over-temperature for extended periods..  
IntelliFET® is a trademark of Diodes Incorporated, registered in the United States and other jurisdictions worldwide.  
5 of 9  
www.diodes.com  
December 2010  
© Diodes Incorporated  
ZXMS6006DG  
Document number: DS35142 Rev. 1 - 2  
123456789

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