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ZXMP6A16DN8TC

更新时间： 2024-02-18 11:09:34

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美台 - DIODES		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
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7页	185K
描述
DUAL P-CHANNEL 60V ENHANCEMENT MODE MOSFET

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ZXMP6A16DN8TC 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	SOT
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	17 weeks	风险等级：	5.16
Is Samacsys：	N	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (ID)：	2.9 A
最大漏源导通电阻：	0.085 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	2
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	18.3 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

ZXMP6A16DN8TC 数据手册

ZXMP6A16DN8

DUAL P-CHANNEL 60V ENHANCEMENT MODE MOSFET

SUMMARY

V_(BR)DSS= -60V; R_DS(ON)= 0.085 ; I_D= -3.9A

DESCRIPTION

This new generation of trench MOSFETs from Zetex utilizes a unique structure

that com bines the benefits of low on-resistance with fast switching speed. This

m akes them ideal for high efficiency, low voltage, power m anagem ent

applications.

FEATURES

•

Low on-resistance

Fast switching speed

Low threshold

SO8

Low gate drive

Low profile SOIC package

APPLICATIONS

•

DC-DC converters

Power m anagem ent functions

Disconnect switches

Motor control

ORDERING INFORMATION

DEVICE

REEL TAPE

QUANTITY

PER REEL

PINOUT

WIDTH

12m m

ZXMP6A16DN8TA

ZXMP6A16DN8TC

7’‘

500 units

13’‘

2500 units

DEVICE MARKING

ZXMP

6A16D

Top view

ISSUE 3 - MAY 2005

12 3 4 5 6 7

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ZXMP6A16DN8TC 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
ZXMP6A16DN8TA	DIODES	类似代替	DUAL P-CHANNEL 60V ENHANCEMENT MODE MOSFET

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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