ZXM61N02F

更新时间： 2024-02-06 15:23:06

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捷特科 - ZETEX		晶体小信号场效应晶体管光电二极管
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7页	219K
描述
20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

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ZXM61N02F 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.1
Is Samacsys：	N	其他特性：	LOW THRESHOLD
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	20 V
最大漏极电流 (ID)：	1.7 A	最大漏源导通电阻：	0.18 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

ZXM61N02F 数据手册

ZXM61N02F

20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

SUMMARY

V_(BR)DSS=20V; R_DS(ON)=0.18⍀; I_D=1.7A

DESCRIPTION

This new generation of high density MOSFETs from Zetex utilises a unique

structure that combines the benefits of low on-resistance with fast switching

speed. This makes them ideal for high efficiency, low voltage, power

management applications.

SOT23

FEATURES

•

Low on-resistance

Fast switching speed

Low threshold

Low gate drive

SOT23 package

APPLICATIONS

•

DC - DC Converters

Power Management Functions

Disconnect switches

Motor control

ORDERING INFORMATION

DEVICE

REEL SIZE

(inches)

TAPE WIDTH (mm)

QUANTITY

PER REEL

Top View

ZXM61N02FTA

ZXM61N02FTC

8mm embossed

3000 units

10000 units

DEVICE MARKING

•

N02

PROVISIONAL ISSUE A - MAY 1999

12 3 4 5 6 7

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