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ZXM61N03FTA

更新时间： 2024-11-29 07:42:35
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美台 - DIODES 晶体晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
7页 186K
描述
30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

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ZXM61N03FTA 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SOT-23
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：17 weeks风险等级：0.73
其他特性：LOW THRESHOLD配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：1.4 A
最大漏极电流 (ID)：1.4 A最大漏源导通电阻：0.22 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：0.625 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

ZXM61N03FTA 数据手册

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ZXM61N03F  
30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET  
SUMMARY  
V(BR)DSS=30V; RDS(ON)=0.22⍀; ID=1.4A  
DESCRIPTION  
This new generation of high density MOSFETs from Zetex utilises a unique  
structure that combines the benefits of low on-resistance with fast switching  
speed. This makes them ideal for high efficiency, low voltage, power  
management applications.  
SOT23  
FEATURES  
•
•
•
•
•
Low on-resistance  
Fast switching speed  
Low threshold  
Low gate drive  
SOT23 package  
APPLICATIONS  
•
•
•
•
DC - DC Converters  
Power Management Functions  
Disconnect switches  
Motor control  
ORDERING INFORMATION  
DEVICE  
REEL SIZE  
(inches)  
TAPE WIDTH (mm)  
QUANTITY  
PER REEL  
Top View  
ZXM61N03FTA  
ZXM61N03FTC  
7
8mm embossed  
8mm embossed  
3000 units  
10000 units  
13  
DEVICE MARKING  
•
N03  
ISSUE 1 - J UNE 2004  
1
1234567

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