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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> ZTX537CSMTC
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ZTX537CSMTC

更新时间： 2024-10-30 13:16:15
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捷特科 - ZETEX 晶体晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
1页 37K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3

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ZTX537CSMTC 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.75风险等级：5.72
最大集电极电流 (IC)：0.8 A集电极-发射极最大电压：45 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：170
JESD-30 代码：R-PSSO-G3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：200 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：PNP
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：200 MHzVCEsat-Max：0.7 V
Base Number Matches：1

ZTX537CSMTC 数据手册

  
PNP SILICON PLANAR  
ZTX537C  
MEDIUM POWER TRANSISTOR  
ISSUE 2 – MARCH 94  
C
B
E
E-Line  
TO92 Compatible  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICM  
VALUE  
UNIT  
V
Collector-Base Voltage  
-50  
-45  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
V
-5  
V
Peak Pulse Current  
-1  
A
Continuous Collector Current  
Power Dissipation at Tamb=25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
IC  
-800  
750  
mA  
mW  
°C  
Ptot  
Tj:Tstg  
-55 to +175  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
= 25°C).  
amb  
PARAMETER  
SYMBOL  
V(BR)CBO  
MIN. TYP.  
-50  
MAX. UNIT CONDITIONS.  
Collector-Base  
Breakdown Voltage  
V
IC=-100µA  
IC=-100µA  
IE=-100µA, IE=0  
VCB=-45V  
Collector-Emitter  
Breakdown Voltage  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICBO  
-45  
-5  
V
Emitter-Base  
Breakdown Voltage  
V
Collector Cut-Off  
Current  
-100  
nA  
Emitter Cut-Off Current IEBO  
-0.2  
-0.7  
VEB=-4V  
µA  
Collector-Emitter  
Saturation Voltage  
VCE(sat)  
V
IC=-500mA, IB=-50mA*  
IC=-300mA, VCE=-1V*  
Base-Emitter  
Saturation Voltage  
VBE(on)  
-1.2  
630  
V
Static Forward Current hFE  
Transfer Ratio  
250  
170  
IC=-100mA, VCE=-1V*  
IC=-300mA, VCE=-1V*  
Transition Frequency  
fT  
200  
12  
MHz  
pF  
IC=-10mA, VCE=-5V  
f=50MHz  
Output Capacitance  
Cobo  
VCB=-10V, f=1MHz  
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle ≤ 2%  
3-188  
1

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