ZMY8.2

更新时间： 2024-01-14 00:30:28

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德欧泰克 - DIOTEC		稳压二极管齐纳二极管测试
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描述
Surface mount Silicon-Zener Diodes (non-planar technology)

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ZMY8.2 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.84
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
端子面层：	Matte Tin (Sn)	Base Number Matches：	1

ZMY8.2 数据手册

ZMY 1…ZMY 200 (1.3 W)

Surface mount Silicon-Zener Diodes

(non-planar technology)

Flächendiffundierte Si-Zener-Dioden

für die Oberflächenmontage

Version 2004-05-13

Maximum power dissipation

1.3 W

Maximale Verlustleistung

Nominal Z-voltage – Nominale Z-Spannung

1…200 V

Plastic case MELF

DO-213AB

Kunststoffgehäuse MELF

Weight approx. – Gewicht ca.

0.12 g

Plastic material has UL classification 94V-0

Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert

Standard packaging taped and reeled

Standard Lieferform gegurtet auf Rolle

see page 18

siehe Seite 18

Dimensions / Maße in mm

Standard Zener voltage tolerance is graded to the international E 24 (~5%) standard.

Other voltage tolerances and higher Zener voltages on request.

Die Toleranz der Zener-Spannung ist in der Standard-Ausführung gestuft nach der internationalen

Reihe E 24 (~5%). Andere Toleranzen oder höhere Arbeitsspannungen auf Anfrage.

Advantages of non-planar Zener-Diodes:

Improved clamping capability

Vorteile der flächendiffundierten Zener-Dioden:

Hohe Impulsfestigkeit

Increased max. zener current I_Zmax

Hoher max. Arbeitsstrom I_Zmax

Chips produced with Plasma-EPOS technology

Molded plastic over passivated junction

Chips hergestellt in Plasma-EPOS-Technologie

Passivierte Chips im Plastik-Gehäuse

Maximum ratings and Characteristics

Grenz- und Kennwerte

Power dissipation – Verlustleistung

T_A= 50°C

T_A= 25°C

P_tot

1.3 W ¹)

40 W

Non repetitive peak power dissipation, t < 10 ms

Einmalige Impuls-Verlustleistung, t < 10 ms

P_ZSM

Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur

Storage temperature – Lagerungstemperatur

T_j

T_S

– 50...+150°C

– 50...+175°C

Thermal resistance junction to ambient air

Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft

R_thA

R_thT

< 45 K/W ¹)

Thermal resistance junction to terminal

< 10 K/W

Wärmewiderstand Sperrschicht – Kontaktfläche

)

Mounted on P.C. board with 50 mm²copper pads at each terminal

Montage auf Leiterplatte mit 50 mm²Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluß

Tested with pulses – Gemessen mit Impulsen

)

The ZMY 1 is a diode operated in forward. Hence, the index of all parameters should be “F” instead of “Z”.

The cathode, indicated by a white ring is to be connected to the negative pole.

Die ZMY 1 ist eine in Durchlaß betriebene Si-Diode. Daher ist bei allen Kenn- und Grenzwerten der Index

“F” anstatt “Z” zu setzten. Die durch den weißen Ring gekennzeichnete Kathode ist mit dem Minuspol zu verbinden.

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