ZMY82B

更新时间： 2024-02-18 19:52:07

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德欧泰克 - DIOTEC		稳压二极管测试
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ZMY82B 数据手册

ZMY 1…ZMY 200 (1.3 W)

Surface mount Silicon-Zener Diodes

(non-planar technology)

Flächendiffundierte Si-Zener-Dioden

für die Oberflächenmontage

Version 2004-05-13

Maximum power dissipation

1.3 W

Maximale Verlustleistung

Nominal Z-voltage – Nominale Z-Spannung

1…200 V

Plastic case MELF

DO-213AB

Kunststoffgehäuse MELF

Weight approx. – Gewicht ca.

0.12 g

Plastic material has UL classification 94V-0

Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert

Standard packaging taped and reeled

Standard Lieferform gegurtet auf Rolle

see page 18

siehe Seite 18

Dimensions / Maße in mm

Standard Zener voltage tolerance is graded to the international E 24 (~5%) standard.

Other voltage tolerances and higher Zener voltages on request.

Die Toleranz der Zener-Spannung ist in der Standard-Ausführung gestuft nach der internationalen

Reihe E 24 (~5%). Andere Toleranzen oder höhere Arbeitsspannungen auf Anfrage.

Advantages of non-planar Zener-Diodes:

Improved clamping capability

Vorteile der flächendiffundierten Zener-Dioden:

Hohe Impulsfestigkeit

Increased max. zener current I_Zmax

Hoher max. Arbeitsstrom I_Zmax

Chips produced with Plasma-EPOS technology

Molded plastic over passivated junction

Chips hergestellt in Plasma-EPOS-Technologie

Passivierte Chips im Plastik-Gehäuse

Maximum ratings and Characteristics

Grenz- und Kennwerte

Power dissipation – Verlustleistung

T_A= 50°C

T_A= 25°C

P_tot

1.3 W ¹)

40 W

Non repetitive peak power dissipation, t < 10 ms

Einmalige Impuls-Verlustleistung, t < 10 ms

P_ZSM

Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur

Storage temperature – Lagerungstemperatur

T_j

T_S

– 50...+150°C

– 50...+175°C

Thermal resistance junction to ambient air

Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft

R_thA

R_thT

< 45 K/W ¹)

Thermal resistance junction to terminal

< 10 K/W

Wärmewiderstand Sperrschicht – Kontaktfläche

)

Mounted on P.C. board with 50 mm²copper pads at each terminal

Montage auf Leiterplatte mit 50 mm²Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluß

Tested with pulses – Gemessen mit Impulsen

)

The ZMY 1 is a diode operated in forward. Hence, the index of all parameters should be “F” instead of “Z”.

The cathode, indicated by a white ring is to be connected to the negative pole.

Die ZMY 1 ist eine in Durchlaß betriebene Si-Diode. Daher ist bei allen Kenn- und Grenzwerten der Index

“F” anstatt “Z” zu setzten. Die durch den weißen Ring gekennzeichnete Kathode ist mit dem Minuspol zu verbinden.

210

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与ZMY82B相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
ZMY82C	EIC	获取价格	ZENER DIODES
ZMY82G	DIOTEC	获取价格	Surface mount Silicon-Zener Diodes (planar technology)
ZMY82GS08	VISHAY	获取价格	DIODE 82.5 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, ROHS COMPLIANT, GLASS
ZMY82-GS08	VISHAY	获取价格	DIODE ZENER 82V 1W DO213AB
ZMY82-GS08/1.5	VISHAY	获取价格	DIODE 82 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-213AB, HALOGEN FREE A
ZMY82-GS18	VISHAY	获取价格	DIODE ZENER 82V 1W DO213AB
ZMY82-GS18/5	VISHAY	获取价格	DIODE 82 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-213AB, HALOGEN FREE A
ZMY8B2	SEMTECH	获取价格	SILICON PLANAR POWER ZENER DIODES
ZMY8B2G	DIOTEC	获取价格	Surface Mount Silicon-Zener Diodes
ZMY8V2	VISHAY	获取价格	Zener Diodes

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