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ZHCS1006

更新时间: 2024-01-21 14:36:32
品牌 Logo 应用领域
捷特科 - ZETEX 整流二极管光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 164K
描述
SILICON HIGH CURRENT SCHOTTKY BARRIER DIODE ”SuperBAT”

ZHCS1006 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Transferred
包装说明:MINIATURE PACKAGE-3Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.31配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码:R-PDSO-G3JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:3最大输出电流:0.9 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
技术:SCHOTTKY端子面层:MATTE TIN
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40Base Number Matches:1

ZHCS1006 数据手册

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ZHCS1006  
TYPICAL CHARACTERISTICS  
TYPICAL CHARACTERISTICS  
10  
1
1
100m  
+125°C  
10m  
1m  
+100°C  
+50°C  
100u  
100m  
10m  
1m  
10u  
+25°C  
1u  
+125°C  
+25°C  
-55°C  
100n  
10n  
1n  
-55°C  
0
0.1  
0.2  
0.3  
0.4  
0.5  
0.6  
0
0
0
20  
40  
60  
VF - Forward Voltage (V)  
VR - Reverse Voltage (V)  
IF v VF  
IR v VR  
0.6  
0.4  
0.2  
0
0.8  
0.6  
0.4  
0.2  
0
DC  
Typical  
Tj=125°C  
t
1
D=t  
1/t  
p
I F(pk)  
Typical  
D=0.5  
D=0.2  
Tj=125°C  
t
p
I F(av) =DxI  
PF(av) =I  
F(pk)  
xV  
F(av)  
F
t
1
D=t 1/t  
D=0.1  
D=0.05  
p
I F(pk)  
DC  
D=0.5  
D=0.2  
D=0.1  
t
p
I F(av) =DxI  
PF(av) =I  
F(pk)  
D=0.05  
xV  
F(av)  
F
75  
85  
95  
105  
115  
125  
0.4  
0.8  
1.2  
TC - Case Temperature (°C)  
IF(av) - Avg Fwd Curr (A)  
IF(av) v TC  
PF(av) v IF(av)  
125  
100  
75  
140  
70  
0
Rth=100°C/W  
Rth=200°C/W  
Rth=300°C/W  
1
10  
100  
20  
40  
60  
VR - Reverse Voltage (V)  
VR - Reverse Voltage (V)  
Ta v VR  
CD v VR  

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