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ZC5800ETC

更新时间: 2024-11-11 13:16:11
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 整流二极管肖特基二极管光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 106K
描述
Mixer Diode, Silicon

ZC5800ETC 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:R-PDSO-G3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.60风险等级:5.72
配置:SINGLE最大二极管电容:2 pF
二极管元件材料:SILICON二极管类型:MIXER DIODE
JESD-30 代码:R-PDSO-G3元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
最大功率耗散:0.29 W认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES技术:SCHOTTKY
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

ZC5800ETC 数据手册

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ZC2800E  
ZC2811E  
ZC5800E  
SOT23 SCHOTTKY BARRIER DIODES  
ISSUE 2 – MARCH 1995  
DIODE PIN CONNECTION  
2
1
PARTMARKING DETAIL  
ZC2800E – E6  
3
ZC2811E – E8  
ZC5800E – E9  
SOT23  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL  
Ptot  
VALUE  
330  
UNIT  
mW  
°C  
Power Dissipation at Tamb = 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
Tj:Tstg  
-55 to +150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
= 25°C).  
amb  
PARAMETER  
TYPE  
SYMBOL  
MIN. TYP. MAX. UNIT CONDITIONS.  
Breakdown Voltage  
ZC2800E  
ZC2811E  
ZC5800E  
VBR  
70  
15  
50  
V
V
V
IR=10µA  
Reverse Leakage  
Current  
ZC2800E  
ZC2811E  
ZC5800E  
IR  
200 nA  
100 nA  
200 nA  
VR=50V  
VR=10V  
VR=35V  
Forward Voltage  
Forward Current  
Capacitance  
ZC2800E  
ZC2811E  
ZC5800E  
VF  
410 mV  
410 mV IF=1mA  
410 mV  
ZC2800E  
ZC2811E  
ZC5800E  
IF  
15  
20  
15  
mA  
mA VF=1V  
mA  
ZC2800E  
ZC2811E  
ZC5800E  
CT  
2.0  
1.2  
2.0  
pF  
pF  
pF  
VR=0 V, f=1MHz  
f= 54 MHz  
Effective Minority  
Lifetime (1)  
ZC2800E  
ZC2811E  
ZC5800E  
100 ps  
100 ps  
100 ps  
τ
I
pk= 20mA  
(1) Sample Test.  
3 - 313  

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