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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | X-XXSS-X |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.47 | 最小击穿电压： | 1000 V |
| 配置： | BRIDGE, 4 ELEMENTS | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | BRIDGE RECTIFIER DIODE | JESD-30 代码： | X-XXSS-X |
| JESD-609代码： | e0 | 最大非重复峰值正向电流： | 250 A |
| 元件数量： | 4 | 相数： | 1 |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | UNSPECIFIED |
| 封装形式： | SPECIAL SHAPE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 1000 V |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UNSPECIFIED |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| Y21120B1B1 | ETC |
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Single Phase Bridge |
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| Y21120B1B1-S | MICROSEMI |
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Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 1200V V(RRM), Silicon, |
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| Y21120B1N1 | MICROSEMI |
获取价格 |
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 1200V V(RRM), Silicon, |
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| Y21120B1N1-S | MICROSEMI |
获取价格 |
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 1200V V(RRM), Silicon, |
|
| Y21120Z1B1 | ETC |
获取价格 |
3 Phase Bridge |
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| Y21120Z1B1-S | MICROSEMI |
获取价格 |
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 1200V V(RRM), Silicon, |
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| Y21120Z1N1 | MICROSEMI |
获取价格 |
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 1200V V(RRM), Silicon, |
|
| Y21120Z1N1-S | MICROSEMI |
获取价格 |
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 1200V V(RRM), Silicon, |
|
| Y21160B1B1 | MICROSEMI |
获取价格 |
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 1600V V(RRM), Silicon, |
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| Y21160B1B1-S | MICROSEMI |
获取价格 |
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 1600V V(RRM), Silicon, |
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