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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | DIE |
| 包装说明： | UNCASED CHIP, X-XXUC-N | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.90.00.00 |
| 风险等级： | 5.38 | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 30 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 0.05 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.05 A | 最大漏源导通电阻： | 70 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss)： | 0.5 pF |
| JESD-30 代码： | X-XXUC-N | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 125 °C | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | UNSPECIFIED | 封装形式： | UNCASED CHIP |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.36 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子位置： | UNSPECIFIED |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| XSST213 | CALOGIC |
获取价格 |
FAST DMOS FET Switches N-Channel Enhancement-Mode |
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| XSST215 | CALOGIC |
获取价格 |
FAST DMOS FET Switches N-Channel Enhancement-Mode |
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| XSST3 | ETC |
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TWEEZER POINT VERY FINE 3 4.50" |
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| XSST3CV | ETC |
获取价格 |
TWEEZER POINT VERY FINE 3 4.25" |
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| XSST3V | ETC |
获取价格 |
TWEEZER POINT VERY FINE 3 4.50" |
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| XSST4VN | ETC |
获取价格 |
TWEEZER POINTED FINE 4 4.50" |
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| XSST7V | ETC |
获取价格 |
TWEEZER POINTED 7 4.50" |
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| XST100N | ETC |
获取价格 |
SCREWDRIVER PHILLIPS #0 4.63" |
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| XST100V | ETC |
获取价格 |
SCREWDRIVER PHILLIPS #0 4.63" |
|
| XST1010N | ETC |
获取价格 |
SCREWDRIVER PHILLIPS #1 13.63" |
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