XN04211G

更新时间： 2024-09-30 13:16:11

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松下 - PANASONIC		晶体开关小信号双极晶体管光电二极管
页数	文件大小	规格书
3页	81K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, ROHS COMPLIANT, MINI6-G3, 6 PIN

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XN04211G 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6	针数：	6
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.83
Is Samacsys：	N	其他特性：	BUILT-IN BIAS RESISTANCE RATIO 1
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	35
JESD-30 代码：	R-PDSO-G6	元件数量：	2
端子数量：	6	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	150 MHz
Base Number Matches：	1

XN04211G 数据手册

Composite Transistors

XN04211 (XN4211)

Silicon NPN epitaxial planer transistor

Unit: mm

+0.20

–0.05

1.9 0.1

(0.95) (0.95)

2.90

+0.10

0.16

–0.06

For switching/digital circuits

Features

Two elements incorporated into one package.

(Transistors with built-in resistor)

Reduction of the mounting area and assembly cost by one half.

+0.10

–0.05

0.30

0.50

+0.10

–0.05

10˚

Basic Part Number of Element

UNR1211(UN1211) × 2 elements

1 : Collector (Tr1)

2 : Base (Tr2)

3 : Emitter (Tr2)

4 : Collector (Tr2)

5 : Base (Tr1)

6 : Emitter (Tr1)

EIAJ : SC–74

Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

I_C

Ratings

Unit

Mini6-G1 Package

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Collector current

Total power dissipation

Rating

element

Marking Symbol: 9V

Internal Connection

100

˚C

P_T

300

Overall Junction temperature

Storage temperature

T_j

150

Tr1

T_stg

–55 to +150

˚C

Tr2

Electrical Characteristics (Ta=25˚C)

Parameter

Symbol

V_CBO

Conditions

min

typ

max

Unit

Collector to base voltage

I_C= 10µA, I_E= 0

Collector to emitter voltage

V_CEO

I_CBO

I_CEO

I_EBO

h_FE

I_C= 2mA, I_B= 0

V_CB= 50V, I_E= 0

0.1

0.5

µA

Collector cutoff current

V_CE= 50V, I_B= 0

Emitter cutoff current

V_EB= 6V, I_C= 0

Forward current transfer ratio

V_CE= 10V, I_C= 5mA

Collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

I_C= 10mA, I_B= 0.3mA

V_CC= 5V, V_B= 0.5V, R_L= 1kΩ

V_CC= 5V, V_B= 2.5V, R_L= 1kΩ

V_CB= 10V, I_E= –2mA, f = 200MHz

0.09

0.25

0.2

Output voltage high level

Output voltage low level

Transition frequency

Input resistance

V_OH

V_OL

f_T

4.9

150

MHz

kΩ

R₁

–30%

0.8

+30%

1.2

Resistance ratio

R₁/R₂

1.0

Note) The Part number in the Parenthesis shows conventional part number.

12 3

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XN04212(XN4212)	ETC	获取价格	複合デバイス－複合トランジスタ
XN04212G	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, ROHS CO
XN04213	ETC	获取价格	Composite Device - Composite Transistors
XN04213(XN4213)	ETC	获取价格	Composite Device - Composite Transistors
XN04213G	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, ROHS CO
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