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XN04212 PDF预览

XN04212

更新时间： 2024-09-30 03:14:03
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 85K
描述
Silicon NPN epitaxial planer transistor

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XN04212 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SC-74包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.84其他特性：BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC)：0.1 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：60
JESD-30 代码：R-PDSO-G6JESD-609代码：e6
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：6封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.3 W认证状态：Not Qualified
子类别：BIP General Purpose Small Signal表面贴装：YES
端子面层：Tin/Bismuth (Sn/Bi)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：150 MHzBase Number Matches：1

XN04212 数据手册

 浏览型号XN04212的Datasheet PDF文件第2页浏览型号XN04212的Datasheet PDF文件第3页 
Composite Transistors  
XN04212 (XN4212)  
Silicon NPN epitaxial planer transistor  
Unit: mm  
+0.20  
–0.05  
1.9 0.1  
(0.95) (0.95)  
2.90  
+0.10  
0.16  
–0.06  
For switching/digital circuits  
4
3
5
6
Features  
I
G
Two elements incorporated into one package.  
(Transistors with built-in resistor)  
Reduction of the mounting area and assembly cost by one half.  
2
1
+0.10  
–0.05  
0.30  
0.50  
G
+0.10  
–0.05  
10˚  
Basic Part Number of Element  
UNR1212 (UN1212)× 2 elements  
I
G
1 : Collector (Tr1)  
2 : Base (Tr2)  
3 : Emitter (Tr2)  
4 : Collector (Tr2)  
5 : Base (Tr1)  
6 : Emitter (Tr1)  
EIAJ : SC–74  
Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)  
I
Parameter  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
IC  
Ratings  
Unit  
V
Mini6-G1 Package  
Collector to base voltage  
Collector to emitter voltage  
Collector current  
Total power dissipation  
50  
50  
Rating  
of  
element  
V
Marking Symbol: 8R  
Internal Connection  
100  
mA  
mW  
˚C  
PT  
300  
Overall Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
150  
Tr1  
6
1
2
3
Tstg  
–55 to +150  
˚C  
5
4
Tr2  
Electrical Characteristics (Ta=25˚C)  
I
Parameter  
Symbol  
VCBO  
Conditions  
min  
50  
typ  
max  
Unit  
V
Collector to base voltage  
IC = 10µA, IE = 0  
Collector to emitter voltage  
VCEO  
ICBO  
ICEO  
IEBO  
hFE  
IC = 2mA, IB = 0  
50  
V
VCB = 50V, IE = 0  
0.1  
0.5  
0.2  
µA  
µA  
mA  
Collector cutoff current  
VCE = 50V, IB = 0  
Emitter cutoff current  
VEB = 6V, IC = 0  
Forward current transfer ratio  
VCE = 10V, IC = 5mA  
60  
Collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
IC = 10mA, IB = 0.3mA  
VCC = 5V, VB = 0.5V, RL = 1kΩ  
VCC = 5V, VB = 2.5V, RL = 1kΩ  
VCB = 10V, IE = –1mA, f = 200MHz  
0.25  
0.2  
V
V
Output voltage high level  
Output voltage low level  
Transition frequency  
Input resistance  
VOH  
VOL  
fT  
4.9  
V
150  
22  
MHz  
kΩ  
R1  
–30%  
0.8  
+30%  
1.2  
Resistance ratio  
R1/R2  
1.0  
Note) The Part number in the Parenthesis shows conventional part number.  
1
123

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XN04212 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
XN4212 PANASONIC

类似代替

 Silicon NPN epitaxial planer transistor
XN4212TX PANASONIC

功能相似

 Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon

与XN04212相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
XN04212(XN4212) ETC

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 		複合デバイス － 複合トランジスタ
XN04212G PANASONIC

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, ROHS CO
XN04213 ETC

获取价格

 		Composite Device - Composite Transistors
XN04213(XN4213) ETC

获取价格

 		Composite Device - Composite Transistors
XN04213G PANASONIC

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, ROHS CO
XN04214 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SC-74
XN04214(XN4214) ETC

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 		複合デバイス － 複合トランジスタ
XN04214G PANASONIC

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, ROHS CO
XN04215 PANASONIC

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 		Silicon NPN epitaxial planer transistor
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