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XN04212G

更新时间： 2024-09-30 21:09:51

品牌	Logo	应用领域
松下 - PANASONIC		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	209K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, ROHS COMPLIANT, MINI6-G3, 6 PIN

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XN04212G 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6	针数：	6
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.82
其他特性：	BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	60	JESD-30 代码：	R-PDSO-G6
元件数量：	2	端子数量：	6
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	150 MHz	Base Number Matches：	1

XN04212G 数据手册

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).

Composite Transistors

XN04212G

Silicon NPN epitaxial planar type

For switching circuits/digital circuits

■ Package

■ Features

•

• Two elements incorporated into one package

(Transistors with built-in resistor)

• Reduction of the mounting area and assembly cost by one half

Code

Mini6-G3

Pin Name

•

1: Collector (Tr1) 4: Collector (Tr2)

■ Basic Part Number

2: Base (Tr2)

5: Base (Tr1)

•

UNR2212 × 2

3: Emitter (Tr2)

6: Emitter (Tr1)

■ Marking Symbol: 8R

■ Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

Parameter

Symbol

Rating

Unit

■ Internal Connection

Collector-base voltage (Emitter open) V_CBO

Collector-emitter voltage (Base open) V_CEO

(C2)

(B1)

(E1)

Collector current

I_C

P_T

T_j

100

°C

22 kΩ

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

300

150

Tr2

T_stg

−55 to +150

°C

Tr1

22 kΩ

(E2)

(B2)

(C1)

■ Electrical Characteristics T_a= 25°C 3°C

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

I_CBO

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

Collector-base voltage (Emitter open)

Collector-emitter voltage (Base open)

Collector-base cutoff current (Emitter open)

Collector-emitter cutoff current (Base open)

Emitter-base cutoff current (Collector open)

Forward current transfer ratio

Collector-emitter saturation voltage

Output voltage high-level

I_C= 10 µA, I_E= 0

I_C= 2 mA, I_B= 0

V_CB= 50 V, I_E= 0

V_CE= 50 V, I_B= 0

V_EB= 6 V, I_C= 0

V_CE= 10 V, I_C= 5 mA

0.1

0.5

0.2

µA



I_CEO

I_EBO

h_FE

V_CE(sat)I_C= 10 mA, I_B= 0.3 mA

0.25

V_OH

V_OL

R₁

V_CC= 5 V, V_B= 0.5 V, R_L= 1 kΩ

4.9

Output voltage low-level

V_CC= 5 V, V_B= 2.5 V, R_L= 1 kΩ

0.2

+30%

1.2

Input resistance

−30%

1.0

150

kΩ



Resistance ratio

R₁/ R₂

f_T

0.8

Transition frequency

V_CB= 10 V, I_E= −1 mA, f = 200 MHz

MHz

Note) Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

Publication date: March 2009

SJJ00467AED

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
XN04213	ETC	获取价格	Composite Device - Composite Transistors
XN04213(XN4213)	ETC	获取价格	Composite Device - Composite Transistors
XN04213G	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, ROHS CO
XN04214	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| 50V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| SC-74
XN04214(XN4214)	ETC	获取价格	複合デバイス－複合トランジスタ
XN04214G	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, ROHS CO
XN04215	PANASONIC	获取价格	Silicon NPN epitaxial planer transistor
XN04215(XN4215)	ETC	获取价格	複合デバイス－複合トランジスタ
XN04215G	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, ROHS CO
XN04216	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| 50V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| SC-74

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