Datasheet > XN01457

XN01457

更新时间： 2024-09-30 19:52:43

品牌	Logo	应用领域
松下 - PANASONIC		放大器光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	76K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 20V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, MINI5-G1, 5 PIN

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

XN01457 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G5
针数：	5	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.84	最大集电极电流 (IC)：	0.5 A
集电极-发射极最大电压：	20 V	配置：	COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)：	100	JESD-30 代码：	R-PDSO-G5
元件数量：	2	端子数量：	5
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	170 MHz	Base Number Matches：	1

XN01457 数据手册

Composite Transistors

XN01457

Silicon PNP epitaxial planar transistor

Unit: mm

+0.20

–0.05

1.9 ^0.1

(0.95) (0.95)

2.90

+0.10

For general amplification

0.16

–0.06

■ Features

• Two elements incorporated into one package (Emitter-coupled

transistors)

• Reduction of the mounting area and assembly cost by one half

+0.10

–0.05

0.30

10°

■ Basic Part Number of Element

•

2SB1693 × 2 elements

■ Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Rating

−40

Unit

1: Collector (Tr1)

2: Collector (Tr2)

3: Base (Tr2)

4: Emitter

5: Base (Tr1)

Rating

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

−20

Mini5-G1 Package

element Emitter to base voltage

Collector current

−15

Marking Symbol: 4Y

Internal Connection

− 0.5

− 1

Peak collector current

I_CP

Overall Total power dissipation

Junction temperature

P_T

300

°C

T_j

150

Storage temperature

T_stg

−55 to +150

Tr2

Tr1

■ Electrical Characteristics T_a= 25°C 3°C

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

h_FE1

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

Collector to base voltage

Collector to emittter voltage

Emitter to base voltage

I_C= −10 µA, I_E= 0

−40

−20

−15

160

100

0.5

I_C= −2 mA, I_B= 0

I_E= −10 µA, I_C= 0

Forward current transfer ratio ^*

V_CE= −2 V, I_C= −100 mA

V_CE= −2 V, I_C= −500 mA

560



h_FE2

1, 2

h_FERatio ^*

h_{FE(Small/Large)}V_CE= −2 V, I_C= −100 mA

0.99



Collector to emitter saturation voltage ^*

V_CE(sat)

I_C= −100 mA, I_B= −10 mA

−60

−300

I_C= − 0.5 A, I_B= −25 mA

−210 −500

Gain bandwidth product

f_T

V_CB= −5 V, I_E= 50 mA, f = 200 MHz

V_CB= −10 V, I_E= 0, f = 1 MHz

170

MHz

Collector output capacitance

C_ob

Note) 1: Pulse measurement

2: Ratio between one and another device

Publication date: July 2002

SJJ00260AED

12 3

中文翻译

下载PDF

与XN01457相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
XN01457(XN1457)	ETC	获取价格	複合デバイス－複合トランジスタ
XN01457\|XN1457	ETC	获取价格	Composite Device - Composite Transistors
XN01501	PANASONIC	获取价格	Silicon NPN epitaxial planar type
XN01501(XN1501)	ETC	获取价格	複合デバイス－複合トランジスタ
XN01501\|XN1501	ETC	获取价格	Composite Device - Composite Transistors
XN01501G	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, ROHS CO
XN01504	PANASONIC	获取价格	Silicon NPN epitaxial planar type
XN01504(XN1504)	ETC	获取价格	複合デバイス－複合トランジスタ
XN01504\|XN1504	ETC	获取价格	Composite Device - Composite Transistors
XN01507	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| ARRAY \| COMM EMITTER \| NPN \| 150V V(BR)CEO \| 50MA I(C) \| SOT-25

与XN01457相关文章

塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
2024-09-29

30
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
2024-09-29

27
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
2024-09-27

26
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
2024-09-27

35

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

XN01457

XN01457 技术参数

XN01457 数据手册

与XN01457相关器件

与XN01457相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

XN01457

XN01457 技术参数

XN01457 数据手册

与XN01457相关器件

与XN01457相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？