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XN01501

更新时间： 2024-09-30 03:14:03

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松下 - PANASONIC		/
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3页	84K
描述
Silicon NPN epitaxial planar type

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XN01501 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SC-74A	包装说明：	SC-74A, 5 PIN
针数：	5	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.84	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)：	160	JESD-30 代码：	R-PDSO-G5
JESD-609代码：	e6	湿度敏感等级：	1
元件数量：	2	端子数量：	5
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Bismuth (Sn/Bi)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	150 MHz
Base Number Matches：	1

XN01501 数据手册

Composite Transistors

XN01501 (XN1501)

Silicon NPN epitaxial planar type

Unit: mm

+0.20

–0.05

1.9 0.1

(0.95) (0.95)

2.90

For general amplification

+0.10

–0.06

0.16

■ Features

• Two elements incorporated into one package

(Emitter-coupled transistors)

• Reduction of the mounting area and assembly cost by one half

+0.10

–0.05

0.30

10˚

■ Basic Part Number

• 2SD0601A (2SD601A) × 2

■ Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

Parameter

Symbol

Rating

Unit

Collector-base voltage (Emitter open) V_CBO

Collector-emitter voltage (Base open) V_CEO

Emitter-base voltage (Collector open) V_EBO

1: Collector (Tr1)

2: Collector (Tr2)

3: Base (Tr2)

4: Emitter

5: Base (Tr1)

EIAJ: SC-74A

Mini5-G1 Package

Collector current

I_C

I_CP

P_T

100

200

°C

Marking Symbol: 5R

Peak collector current

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

300

Internal Connection

T_j

150

Tr2

T_stg

−55 to +150

°C

Tr1

■ Electrical Characteristics T_a= 25°C 3°C

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CBO

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

Collector-base voltage (Emitter open)

Collector-emitter voltage (Base open)

Emitter-base voltage (Collector open)

Collector-base cutoff current (Emitter open)

Collector-emitter cutoff current (Base open)

Forward current transfer ratio

h_FEratio ^*

I_C= 10 µA, I_E= 0

I_C= 2 mA, I_B= 0

I_E= 10 µA, I_C= 0

V_CB= 20 V, I_E= 0

V_CE= 10 V, I_B= 0

V_CE= 10 V, I_C= 2 mA

0.1

100

460

µA



I_CEO

h_FE

160

h_FE(Small/V_CE= 10 V, I_C= 2 mA

Large)

0.50

0.99

Collector-emitter saturation voltage

Transition frequency

V_CE(sat)I_C= 100 mA, I_B= 10 mA

0.1

150

3.5

0.3

MHz

f_T

V_CB= 10 V, I_E= −2 mA, f = 200 MHz

V_CB= 10 V, I_E= 0, f = 1 MHz

Collector output capacitance

C_ob

(Common base, input open circuited)

Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

2. : Ratio between 2 elements

Note) The part number in the parenthesis shows conventional part number.

Publication date: August 2003

SJJ00028BED

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
XN01501(XN1501)	ETC	获取价格	複合デバイス－複合トランジスタ
XN01501\|XN1501	ETC	获取价格	Composite Device - Composite Transistors
XN01501G	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, ROHS CO
XN01504	PANASONIC	获取价格	Silicon NPN epitaxial planar type
XN01504(XN1504)	ETC	获取价格	複合デバイス－複合トランジスタ
XN01504\|XN1504	ETC	获取价格	Composite Device - Composite Transistors
XN01507	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| ARRAY \| COMM EMITTER \| NPN \| 150V V(BR)CEO \| 50MA I(C) \| SOT-25
XN01507(XN1507)	ETC	获取价格	Composite Device - Composite Transistors
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