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XMFS3-M1

更新时间： 2024-11-29 20:52:59

品牌	Logo	应用领域
村田 - MURATA		放大器光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
1页	44K
描述
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET

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XMFS3-M1 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	其他特性：	LOW NOISE
配置：	SINGLE	FET 技术：	JUNCTION
最高频带：	C BAND	JESD-30 代码：	R-PDSO-G4
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	DEPLETION MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最小功率增益 (Gp)：	15 dB
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches：	1

XMFS3-M1 数据手册

HIGH FREQUENCY DEVICES

GAAS FIELD EFFECT TRANSISTORS

SMALL SIGNAL FET’S

XMFS Series

FEATURES

ꢀ Low noise figure

ꢀ Excellent associated gain

APPLICATIONS

ꢀ Low noise applications up to c-band 6GHz

ꢀ WLAN, WLL, DBS tuner/converter, GPS

ꢀ Low noise amplifiers or oscillator circuits

DIMENSIONS: mm

XMFS2-M1

XMFS3-M1

1.5

0.65

1.5

0.65

ꢀ

ꢁ

ꢃ

ꢀ

ꢁ

ꢃ

1.9

2.9

ꢂ

0.3

0.8

0.3

0.8

Marking

ꢁ

ꢀ

ꢃ

ꢂ

ꢁ

ꢀ

ꢃ

ꢂ

Source A : Part No.

Gate

Source

Drain

Source A : Part No.

Gate

Source

Drain

B : Part No.

SPECIFICATIONS

VGSS

IDSS

VGS (OFF)

Gas

Fmin

Test

Conditions

IGS = –10ꢀA

VDS = 0V

VDS = 3V

VGS = 0V

VDS = 3V

ID = 30mA

VDS = 3V

ID = 1mA

VDS = 3V

ID = 10mA

Min.

Typ.

—

60mA

—

40mS

60mS

—

–5.0V

—

0.4dB

—

XMFS2-M1

12dB

—

Max.

–3V

100mA

–1.0V

Test

Conditions

IGS = –10ꢀA

VDS = 0V

VDS = 3V

VGS = 0V

VDS = 3V

ID = 10mA

VDS = 3V

ID = 1mA

VDS = 3V

ID = 10mA

Min.

Typ.

Max.

—

15mA

—

30mS

34mS

—

–3.0V

—

15dB

—

0.4dB

—

XMFS3-M1

–3V

60mA

–0.3V

Ta = 25°C

For more detailed information regarding this product line, see Catalog No. 0-35-E, or see Murata Electronics’ web page for .pdf files and S-parameters (www.murata.com).

CG01-J

285

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