LMG3522R030-Q1
ZHCSNE5C –OCTOBER 2020 –REVISED JUNE 2023
LMG3522R030-Q1 650V 30mΩ 具有集成驱动器、保护和温度报告功能的GaN
FET
1 特性
3 说明
• 符合面向汽车应用的AEC-Q100 标准
LMG3522R030-Q1 GaN FET 具有集成式驱动器和保
护功能,适用于开关模式电源转换器,可让设计人员实
现更高水平的功率密度和效率。
– 温度等级1:–40°C 至+125°C,TA
– 结温:–40°C 至+150°C,TJ
• 具有集成栅极驱动器的650V GaN-on-Si FET
LMG3522R030-Q1 集成了一个硅驱动器,可实现高达
150V/ns 的开关速度。与分立式硅栅极驱动器相比,TI
的集成式精密栅极偏置可实现更高的开关 SOA。这种
集成特性与 TI 的低电感封装技术相结合,可在硬开关
电源拓扑中提供干净的开关和超小的振铃。可调栅极驱
动强度允许将压摆率控制在20V/ns 至150V/ns 之间,
这可用于主动控制EMI 并优化开关性能。
– 集成高精度栅极偏置电压
– 200V/ns FET 释抑
– 23.6MHz 开关频率
– 20V/ns 至150V/ns 压摆率,用于优化开关性能
和缓解EMI
– 在7.5V 至18V 电源下工作
• 强大的保护
高级电源管理功能包括数字温度报告和故障检测。
GaN FET 的温度通过可变占空比 PWM 输出进行报
告,这可简化器件加载管理。报告的故障包括过热、过
流和UVLO 监控。
– 响应时间少于100ns 的逐周期过流和锁存短路
保护
– 硬开关时可承受720V 浪涌
– 针对内部过热和UVLO 监控的自我保护
• 高级电源管理
封装信息
封装(1)
封装尺寸(标称值)
器件型号
– 数字温度PWM 输出
• 顶部冷却12mm × 12mm VQFN 封装将电气路径和
散热路径分开,可实现更低的电源环路电感
LMG3522R030-Q1
VQFN (52)
12.00mm × 12.00mm
(1) 如需了解所有可用封装,请参阅数据表末尾的可订购产品附
录。
2 应用
• 开关模式电源转换器
• 商用网络和服务器PSU
• 商用通信电源整流器
• 车载充电器(OBC) 和无线充电器
• 直流/直流转换器
DRAIN
Direct-Drive
Slew
GaN
Rate
SOURCE
RDRV
IN
VDD
VNEG
LDO,
BB
OCP, SCP,
OTP, UVLO
Current
LDO5V
TEMP
FAULT
OC
SOURCE
高于100V/ns 时的开关性能
简化版方框图
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