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X3N170

更新时间： 2024-01-27 12:43:43

品牌	Logo	应用领域
CALOGIC		开关晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	22K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.03A I(D), 25V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

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X3N170 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.90.00.00	风险等级：	5.76
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	25 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.03 A	最大漏极电流 (ID)：	0.03 A
最大漏源导通电阻：	200 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：	1.3 pF	JESD-30 代码：	X-XUUC-N3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	UNSPECIFIED
封装形式：	UNCASED CHIP	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	0.8 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

X3N170 数据手册

N-Channel Enhancement

Mode MOSFET Switch

CORPORATION

3N170 / 3N171

FEATURES

HANDLING PRECAUTIONS

Low Switching Voltages

Fast Switching Times

Low Drain-Source Resistance

Low Reverse Transfer Capacitance

MOS field-effect transistors have extremely high input

resistance and can be damaged by the accumulation of

excess static charge. To avoid possible damage to the device

while wiring, testing, or in actual operation, follow the

procedures outlined below.

•

PIN CONFIGURATION

1. To avoid the build-up of static charge, the leads of the

devices should remain shorted together with a metal ring

except when being tested or used.

2. Avoid unnecessary handling. Pick up devices by the case

instead of the leads.

TO-72

3. Do not insert or remove devices from circuits with the

power on as transient voltages may cause permanent

damage to the devices.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

(T_A= 25^oC unless otherwise specified)

Drain-Gate Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±35V

Drain-Source Voltage. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25V

Gate-Source Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±35V

Drain Current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30mA

Storage Temperature Range . . . . . . . . . . . . . -65^oC to +200^oC

Operating Temperature Range . . . . . . . . . . . -55^oC to +150^oC

Lead Temperature (Soldering, 10sec) . . . . . . . . . . . . . +300^oC

Power Dissipation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300mW

Derate above 25^oC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.4mW/^oC

C,B

1003

NOTE: Stresses above those listed under "Absolute Maximum

Ratings" may cause permanent damage to the device. These are

stress ratings only and functional operation of the device at these or

any other conditions above those indicated in the operational sections

of the specifications is not implied. Exposure to absolute maximum

rating conditions for extended periods may affect device reliability.

ORDERING INFORMATION

Part

Package

Temperature Range

3N170-71

X3N170-71 Sorted Chips in Carriers

Hermetic TO-72

-55^oC to +150^oC

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与X3N170相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
X3N170-71	CALOGIC	N-Channel Enhancement Mode MOSFET Switch	获取价格
X3N171	CALOGIC	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.03A I(D), 25V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta	获取价格
X3N172-73	CALOGIC	Diode Protected P-Channel Enhancement Mode MOSFET General Purpose Amplifier/Switch	获取价格
X3N173	CALOGIC	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.05A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta	获取价格
X3N190-91	CALOGIC	Dual P-Channel Enhancement Mode MOSFET General Purpose Amplifier	获取价格
X3N191	CALOGIC	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.05A I(D), 40V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Meta	获取价格

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