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X3N165

更新时间： 2024-01-17 14:54:21
品牌 Logo 应用领域
CALOGIC 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 26K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.05A I(D), 40V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

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X3N165 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：UNCASED CHIP, R-XUUC-N7Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.90.00.00
风险等级：5.84配置：COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS
最小漏源击穿电压：40 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.05 A
最大漏极电流 (ID)：0.05 A最大漏源导通电阻：300 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最大反馈电容 (Crss)：0.7 pF
JESD-30 代码：R-XUUC-N7元件数量：2
端子数量：7工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：UNCASED CHIP
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：0.3 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子形式：NO LEAD端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

X3N165 数据手册

 浏览型号X3N165的Datasheet PDF文件第2页 
Monolithic Dual P-Channel  
Enhancement Mode MOSFET  
General Purpose Amplifier  
CORPORATION  
3N165 / 3N166  
FEATURES  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Note 1)  
(TA = 25oC unless otherwise specified)  
Very High Impedance  
High Gate Breakdown  
Low Capacitance  
•
•
Drain-Source or Drain-Gate Voltage (Note 2)  
•
3N165. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40V  
3N166. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30V  
Transient Gate-Source Voltage (Note 3) . . . . . . . . . . . . . ±125  
Gate-Gate Voltage. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±80V  
Drain Current (Note 2) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50mA  
Storage Temperature. . . . . . . . . . . . . . . . . . . -65oC to +200oC  
Operating Temperature . . . . . . . . . . . . . . . . . -55oC to +150oC  
Lead Temperature (Soldering, 10sec) . . . . . . . . . . . . . +300oC  
Power Dissipation  
PIN CONFIGURATION  
BOTTOM VIEW  
TO-99  
S
D2  
G2  
D1  
G1  
One Side . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300mW  
Both Sides . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 525mW  
Total Derating above 25oC. . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.2mW/oC  
C
NOTE: Stresses above those listed under "Absolute Maximum  
Ratings" may cause permanent damage to the device. These are  
stress ratings only and functional operation of the device at these or  
any other conditions above those indicated in the operational sections  
of the specifications is not implied. Exposure to absolute maximum  
rating conditions for extended periods may affect device reliability.  
0180  
D2  
G2  
G1  
C
S
D1  
2506  
ORDERING INFORMATION  
DEVICE SCHEMATIC  
Part  
Package  
Temperature Range  
-55oC to +150oC  
1
7
3N165-66  
X3N165-66 Sorted Chips in Carriers  
Hermetic TO-99  
-55oC to +150oC  
3
5
8
4
0190  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25oC and VBS = 0 unless otherwise specified)  
SYMBOL  
PARAMETER  
MIN  
MAX  
UNITS  
TEST CONDITIONS  
IGSSR  
Gate Reverse Leakage Current  
10  
VGS = 40V  
GS = -40V  
-10  
-25  
-200  
-400  
-30  
-5  
V
IGSSF  
Gate Forward Leakage Current  
pA  
TA = +125oC  
IDSS  
Drain to Source Leakage Current  
Source to Drain Leakage Current  
On Drain Current  
VDS = -20V  
ISDS  
VSD = -20V, VDB = 0  
VDS = -15V, VGS = -10V  
VDS = -15V, ID = -10µA  
VDS = VGS, ID = -10µA  
ID(on)  
-5  
-2  
-2  
mA  
V
VGS(th)  
VGS(th)  
rDS(on)  
Gate Source Threshold Voltage  
Gate Source Threshold Voltage  
Drain Source ON Resistance  
-5  
VGS = -20V, ID = -100µA  
300  
ohms  
12

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