是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | DIP | 包装说明: | PLASTIC, DIP-28 |
针数: | 28 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | 3A001.A.2.C | HTS代码: | 8542.32.00.51 |
风险等级: | 5.14 | 最长访问时间: | 120 ns |
命令用户界面: | NO | 数据轮询: | YES |
耐久性: | 1000000 Write/Erase Cycles | JESD-30 代码: | R-PDIP-T28 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 37.4 mm |
内存密度: | 65536 bit | 内存集成电路类型: | EEPROM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 28 | 字数: | 8192 words |
字数代码: | 8000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
组织: | 8KX8 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | DIP | 封装等效代码: | DIP28,.6 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
页面大小: | 64 words | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 5 V |
编程电压: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 6.35 mm | 最大待机电流: | 0.0002 A |
子类别: | EEPROMs | 最大压摆率: | 0.04 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | MILITARY |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 切换位: | YES |
宽度: | 15.24 mm | 最长写入周期时间 (tWC): | 5 ms |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
X28HC64PM-50 | XICOR |
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5 Volt, Byte Alterable E2PROM | |
X28HC64PM-70 | XICOR |
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5 Volt, Byte Alterable E2PROM | |
X28HC64PM-70 | INTERSIL |
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5 Volt, Byte Alterable EEPROM | |
X28HC64PM-70 | RENESAS |
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8KX8 EEPROM 5V, 70ns, PDIP28, PLASTIC, DIP-28 | |
X28HC64PM-90 | XICOR |
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5 Volt, Byte Alterable E2PROM | |
X28HC64PM-90 | INTERSIL |
获取价格 |
5 Volt, Byte Alterable EEPROM | |
X28HC64PM-90 | RENESAS |
获取价格 |
8KX8 EEPROM 5V, 90ns, PDIP28, PLASTIC, DIP-28 | |
X28HC64PMB-12 | XICOR |
获取价格 |
5 Volt, Byte Alterable E2PROM | |
X28HC64PMB-12 | INTERSIL |
获取价格 |
5 Volt, Byte Alterable EEPROM | |
X28HC64PMB-12 | RENESAS |
获取价格 |
8KX8 EEPROM 5V, 120ns, PDIP28, PLASTIC, DIP-28 |