是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Transferred |
包装说明: | QCCN, LCC32,.45X.55 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.75 | 最长访问时间: | 120 ns |
其他特性: | SOFTWARE DATA PROTECTION; 64 BYTE PAGE WRITE; 100 YEARS DATA RETENTION | 命令用户界面: | NO |
数据轮询: | YES | 数据保留时间-最小值: | 100 |
耐久性: | 10000 Write/Erase Cycles | JESD-30 代码: | R-CQCC-N32 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 13.97 mm |
内存密度: | 65536 bit | 内存集成电路类型: | EEPROM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 32 | 字数: | 8192 words |
字数代码: | 8000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 8KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装代码: | QCCN |
封装等效代码: | LCC32,.45X.55 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | CHIP CARRIER | 页面大小: | 64 words |
并行/串行: | PARALLEL | 电源: | 5 V |
编程电压: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 3.048 mm | 最大待机电流: | 0.0002 A |
子类别: | EEPROMs | 最大压摆率: | 0.04 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | NO LEAD |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | QUAD |
切换位: | YES | 宽度: | 11.43 mm |
最长写入周期时间 (tWC): | 10 ms | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
X28HC64E-12T1 | XICOR |
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EEPROM, 8KX8, 120ns, Parallel, CMOS, CQCC32, CERAMIC, LCC-32 | |
X28HC64E-50 | XICOR |
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5 Volt, Byte Alterable E2PROM | |
X28HC64E-70 | XICOR |
获取价格 |
5 Volt, Byte Alterable E2PROM | |
X28HC64E-70T1 | XICOR |
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EEPROM, 8KX8, 70ns, Parallel, CMOS, CQCC32, CERAMIC, LCC-32 | |
X28HC64E-90 | XICOR |
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5 Volt, Byte Alterable E2PROM | |
X28HC64E-90T1 | XICOR |
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EEPROM, 8KX8, 90ns, Parallel, CMOS, CQCC32, CERAMIC, LCC-32 | |
X28HC64EI-12 | RENESAS |
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8KX8 EEPROM 5V, 120ns, CQCC32, CERAMIC, LCC-32 | |
X28HC64EI-12 | XICOR |
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5 Volt, Byte Alterable E2PROM | |
X28HC64EI-12 | INTERSIL |
获取价格 |
5 Volt, Byte Alterable EEPROM | |
X28HC64EI-50 | XICOR |
获取价格 |
5 Volt, Byte Alterable E2PROM |