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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | PDIP, PLCC, SOIC | 包装说明： | DIP, DIP28,.6 |
| 针数： | 28, 32, 28 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.51 |
| 风险等级： | 5.55 | 最长访问时间： | 90 ns |
| 命令用户界面： | NO | 数据轮询： | YES |
| 耐久性： | 1000000 Write/Erase Cycles | JESD-30 代码： | R-PDIP-T28 |
| JESD-609代码： | e3 | 长度： | 37.4 mm |
| 内存密度： | 262144 bit | 内存集成电路类型： | EEPROM |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 28 | 字数： | 32768 words |
| 字数代码： | 32000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 32KX8 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP28,.6 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 页面大小： | 128 words | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT APPLICABLE | 电源： | 5 V |
| 编程电压： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 6.35 mm | 最大待机电流： | 0.0005 A |
| 子类别： | EEPROMs | 最大压摆率： | 0.06 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) - annealed | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT APPLICABLE | 切换位： | YES |
| 宽度： | 15.24 mm | 最长写入周期时间 (tWC)： | 5 ms |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| X28HC256S-12 | ROCHESTER | LOW POWER CMOS EEPROM with hi-speed page write capability 256K EEPROM |
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| X28HC256S-12 | XICOR | 5 Volt, Byte Alterable E2PROM |
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| X28HC256S-12 | INTERSIL | 5 Volt, Byte Alterable EEPROM |
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| X28HC256S-12 | RENESAS | 32KX8 EEPROM 5V, 120ns, PDSO28, PLASTIC, SOIC-28 |
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| X28HC256S-15 | INTERSIL | 5 Volt, Byte Alterable EEPROM |
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| X28HC256S-15 | XICOR | 5 Volt, Byte Alterable E2PROM |
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