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X28HC256PM-12

更新时间： 2024-02-07 05:24:01
品牌 Logo 应用领域
英特矽尔 - INTERSIL 内存集成电路光电二极管可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
页数 文件大小 规格书
14页 301K
描述
5 Volt, Byte Alterable EEPROM

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X28HC256PM-12 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：DIP, DIP28,.6Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.69Is Samacsys：N
最长访问时间：120 ns其他特性：100000 ENDURANCE WRITE CYCLES; 100 YEARS DATA RETENTION
命令用户界面：NO数据轮询：YES
数据保留时间-最小值：100耐久性：1000000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：R-PDIP-T28JESD-609代码：e0
长度：36.45 mm内存密度：262144 bit
内存集成电路类型：EEPROM内存宽度：8
功能数量：1端子数量：28
字数：32768 words字数代码：32000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-55 °C组织：32KX8
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：DIP封装等效代码：DIP28,.6
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
页面大小：128 words并行/串行：PARALLEL
电源：5 V编程电压：5 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：4.82 mm
最大待机电流：0.0005 A子类别：EEPROMs
最大压摆率：0.06 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：NO技术：CMOS
温度等级：MILITARY端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子节距：2.54 mm
端子位置：DUAL切换位：YES
宽度：15.24 mm最长写入周期时间 (tWC)：5 ms
Base Number Matches：1

X28HC256PM-12 数据手册

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X28HC256  
®
256K, 32K x 8 Bit  
Data Sheet  
June 1, 2005  
FN8108.0  
DESCRIPTION  
5 Volt, Byte Alterable EEPROM  
The X28HC256 is a second generation high perfor-  
mance CMOS 32K x 8 EEPROM. It is fabricated with  
Intersil’s proprietary, textured poly floating gate tech-  
nology, providing a highly reliable 5 Volt only nonvola-  
tile memory.  
FEATURES  
• Access time: 70ns  
• Simple byte and page write  
—Single 5V supply  
—No external high voltages or V control circuits  
—Self-timed  
—No erase before write  
—No complex programming algorithms  
—No overerase problem  
• Low power CMOS  
—Active: 60mA  
—Standby: 500µA  
• Software data protection  
—Protects data against system level inadvertent  
writes  
PP  
The X28HC256 supports a 128-byte page write opera-  
tion, effectively providing a 24µs/byte write cycle, and  
enabling the entire memory to be typically rewritten in  
less than 0.8 seconds. The X28HC256 also features  
DATA Polling and Toggle Bit Polling, two methods of  
providing early end of write detection. The X28HC256  
also supports the JEDEC standard Software Data Pro-  
tection feature for protecting against inadvertent writes  
during power-up and power-down.  
Endurance for the X28HC256 is specified as a mini-  
mum 1,000,000 write cycles per byte and an inherent  
data retention of 100 years.  
• High speed page write capability  
™
• Highly reliable Direct Write cell  
—Endurance: 1,000,000 cycles  
—Data retention: 100 years  
• Early end of write detection  
—DATA polling  
—Toggle bit polling  
BLOCK DIAGRAM  
256Kbit  
EEPROM  
Array  
X Buffers  
Latches and  
Decoder  
A0–A14  
Address  
Inputs  
I/O Buffers  
and Latches  
Y Buffers  
Latches and  
DECODER  
I/O0–I/O7  
Data Inputs/Outputs  
CE  
Control  
OE  
Logic and  
Timing  
WE  
VCC  
VSS  
CAUTION: These devices are sensitive to electrostatic discharge; follow proper IC Handling Procedures.  
1-888-INTERSIL or 1-888-468-3774 | Intersil (and design) is a registered trademark of Intersil Americas Inc.  
Copyright Intersil Americas Inc. 2005. All Rights Reserved  
1
All other trademarks mentioned are the property of their respective owners.  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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