是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | DIP | 包装说明: | DIP-32 |
针数: | 32 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | 3A001.A.2.C | HTS代码: | 8542.32.00.51 |
风险等级: | 5.07 | 最长访问时间: | 120 ns |
其他特性: | PAGE WRITE | 命令用户界面: | NO |
数据轮询: | YES | JESD-30 代码: | R-GDIP-T32 |
JESD-609代码: | e0 | 内存密度: | 1048576 bit |
内存集成电路类型: | EEPROM | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 32 |
字数: | 131072 words | 字数代码: | 128000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 组织: | 128KX8 |
封装主体材料: | CERAMIC, GLASS-SEALED | 封装代码: | DIP |
封装等效代码: | DIP32,.6 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 页面大小: | 256 words |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT APPLICABLE |
电源: | 5 V | 编程电压: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 筛选级别: | MIL-STD-883 |
座面最大高度: | 5.92 mm | 最大待机电流: | 0.0005 A |
子类别: | EEPROMs | 最大压摆率: | 0.05 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | MILITARY |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT APPLICABLE | 切换位: | YES |
宽度: | 15.24 mm | 最长写入周期时间 (tWC): | 10 ms |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
X28C010DMB-12C7309 | INTERSIL |
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5 Volt, Byte Alterable EEPROM | |
X28C010DMB-12C7309 | RENESAS |
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128KX8 EEPROM 5V, 120ns, CDIP32, CERAMIC, DIP-32 | |
X28C010DMB-12C7729 | INTERSIL |
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5 Volt, Byte Alterable EEPROM | |
X28C010DMB-15 | INTERSIL |
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5 Volt, Byte Alterable EEPROM | |
X28C010DMB-15 | XICOR |
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5 Volt, Byte Alterable E2PROM | |
X28C010DMB-15 | RENESAS |
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128KX8 EEPROM 5V, 150ns, CDIP32, CERAMIC, DIP-32 | |
X28C010DMB-15C7762 | INTERSIL |
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5 Volt, Byte Alterable EEPROM | |
X28C010DMB-15C7762 | RENESAS |
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128KX8 EEPROM 5V, 150ns, CDIP32, CERAMIC, DIP-32 | |
X28C010DMB-20 | INTERSIL |
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5 Volt, Byte Alterable EEPROM | |
X28C010DMB-20 | XICOR |
获取价格 |
5 Volt, Byte Alterable E2PROM |