| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | R-XXMA-X |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.81 | Is Samacsys： | N |
| 配置： | BRIDGE, 6 ELEMENTS | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | BRIDGE RECTIFIER DIODE | JESD-30 代码： | R-XXMA-X |
| 元件数量： | 6 | 相数： | 3 |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UNSPECIFIED |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| X20120Z1N1-S | MICROSEMI |
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Bridge Rectifier Diode, 3 Phase, Silicon, |
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| X20128501 | ETA |
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| X20160B1B1-S | MICROSEMI |
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Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, Silicon, |
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| X20160B1N1-S | MICROSEMI |
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Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, Silicon, |
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| X20160Z1B1-S | MICROSEMI |
获取价格 |
Bridge Rectifier Diode, 3 Phase, Silicon, |
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| X20160Z1N1-S | MICROSEMI |
获取价格 |
Bridge Rectifier Diode, 3 Phase, Silicon, |
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| X2016D-45 | XICOR |
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Memory IC, |
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| X2016DI-35 | XICOR |
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Memory IC, |
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| X2016DI-55 | XICOR |
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Memory IC, |
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| X2016DM-55 | XICOR |
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Memory IC, |
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