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WTV06P240L

更新时间: 2024-11-21 14:55:11
品牌 Logo 应用领域
先科 - SWST 晶体
页数 文件大小 规格书
7页 580K
描述
功率金氧半电晶体

WTV06P240L 数据手册

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WTV06P240L-HAF  
P-Channel Enhancement Mode MOSFET  
Features  
Drain  
• High speed switch  
• Advanced trench cell design  
• Halogen and Antimony Free(HAF),  
2
1
RoHS compliant  
3
Gate  
1.Gate 2.Drain 3.Source  
TO-263 Plastic Package  
Applications  
Source  
• Portable appliances  
• Battery management  
Key Parameters  
Parameter  
-BVDSS  
Value  
60  
Unit  
V
24 @ -VGS = 10 V  
33 @ -VGS = 4.5 V  
1.8  
RDS(ON) Max  
mΩ  
-VGS(th) typ  
Qg typ  
V
72 @ -VGS = 10 V  
nC  
Absolute Maximum Ratings (at Ta = 25unless otherwise specified)  
Parameter  
Symbol  
Value  
60  
Unit  
V
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
-VDS  
VGS  
± 20  
V
Tc = 25℃  
Tc = 100℃  
39  
24  
Drain Current  
-ID  
A
Peak Drain Current 1)  
Avalanche Current  
Avalanche Energy 2)  
Power Dissipation  
-IDM  
-IAS  
140  
40.6  
A
A
EAS  
82.4  
mJ  
W
PD  
52  
Tc = 25℃  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
TJ,Tstg  
- 55 to + 150  
Thermal Characteristics  
Parameter  
Symbol  
RθJC  
Max.  
2.4  
Unit  
Thermal Resistance from Junction to Case  
/W  
/W  
Thermal Resistance from Junction to Ambient 3)  
1) Pulse Test: Pulse Width 100 μs, Duty Cycle 2%,Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature TJ(MAX)=150°C.  
2) Limited by TJ(MAX), starting TJ = 25 °C, L = 0.1 mH, Rg = 25 Ω, -IAS = 40.6 A, VGS = 10 V.  
RθJA  
45  
3) Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate in still air.  
®
1 / 7  
Dated: 17/01/2023 Rev: 01  

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