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WTX1012

更新时间： 2024-11-24 05:54:19

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描述
N-Channel ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

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WTX1012 数据手册

WTX1012

N-Channel ENHANCEMENT MODE

POWER MOSFET

P b

Lead(Pb)-Free

FEATURES:

SC-89

* Power Mosfet : 1.8V Rated

* Gate-Source ESD Protected: 2000 V

* High-Side Switching

* Low On-Resistance: 0.7Ω

* Low Threshold: 0.8 V (typ)

* Fast Switching Speed: 10 ns

Drain

BENEFITS:

* Ease in Driving Switches

* Low-Voltage Operation

* High-Speed Circuits

(Top View)

* Low Battery Voltage Operation

Gate

Source

APPLICATIONS:

* Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers,Displays, Memories

* Battery Operated Systems

* Power Supply Converter Circuits

* Load/Power Switching Cell Phones, Pagers

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25 C UNLESS OTHERWISE NOTED)

Parameter

Symbol

5 secs

Steady State

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

= 25 C

= 85 C

500

350

600

400

Continuous Drain Current (T = 150 C)

Pulsed Drain Current

1000

Continuous Source Current (diode conduction)

275

175

250

150

= 25 C

= 85 C

= 25 C

= 85 C

Maximum Power Dissipation for SC-75

275

160

250

140

Maximum Power Dissipation for SC-89

Operating Junction and Storage Temperature Range

Gate-Source ESD Rating (HBM, Method 3015)

T , T

−55 to 150

stg

ESD

2000

Notes

d. Pulse width limited by maximum junction temperature.

e. Surface Mounted on FR4 Board.

Device Marking

WTX1012 = A

WEITRON

http://www.weitron.com.tw

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31-Mar-09

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