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WTAT04N040LS

更新时间： 2023-12-06 20:07:55

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先科 - SWST		晶体
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7页	591K
描述
功率金氧半电晶体

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WTAT04N040LS 数据手册

WTAT04N040LS-HAF

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Drain

Features

• Low Gate-Source Threshold Voltage

• Halogen and Antimony Free(HAF),

RoHS compliant

Gate

Source

1.Gate 2.Drain 3.Source

TO-220F Plastic Package

Key Parameters

Parameter

BV_DSS

Value

Unit

4 @ V_GS= 10 V

5.1 @ V_GS= 4.5 V

1.4

R_DS(ON)Max

mΩ

V_GS(th)typ

Q_gtyp

143 @ V_GS= 10 V

Absolute Maximum Ratings(at T_a= 25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Value

Unit

V_DS

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_GS

± 20

36.5

T_c= 25℃

T_c= 100℃

I_D

Drain Current

Peak Drain Current, Pulsed ¹⁾

I_DM

I_AS

450

58.8

Avalanche Current

Single Pulse Avalanche Energy ²⁾

Power Dissipation

E_AS

172.8

℃

P_D

T_c= 25℃

T_J, T_stg

- 55 to + 150

Operating Junction and Storage Temperature Range

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJC

Max.

6.5

Unit

℃/W

Thermal Resistance from Junction to Case

Thermal Resistance from Junction to Ambient

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%, Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T_J(MAX)= 150°C.

²⁾Limited by T_J(MAX), starting T_J= 25 °C, L = 0.1 mH, R_g= 25 Ω, I_AS= 58.8 A, V_GS= 10 V.

R_θJA

1 / 7

Dated: 05/07/2022 Rev: 02

12 3 4 5 6 7

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