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WTAT10N020L

更新时间： 2023-12-06 20:01:13

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先科 - SWST		晶体
页数	文件大小	规格书
7页	2832K
描述
功率金氧半电晶体

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WTAT10N020L 数据手册

WTAT10N020L-HAF

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Drain

Features

• High speed switch

• Halogen and AntimonyFree(HAF),

RoHS compliant

Gate

1.Gate 2.Drain 3.Source

TO-220F Plastic Package

Source

Applicatins

• Portable appliances

• Power management

Key Parameters

Parameter

BV_DSS

Value

100

Unit

2.3 @ V_GS= 10 V

2.9 @ V_GS= 4.5 V

1.7

R_DS(ON)Max

mΩ

V_GS(th)typ

Q_gtyp

217 @ V_GS= 10 V

Absolute Maximum Ratings (at T_a= 25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

V_DS

Value

100

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_GS

± 20

T_c= 25℃

Drain Current

I_D

T_c= 100℃

Peak Drain Current, Pulsed ¹⁾

Power Dissipation

I_DM

P_D

450

34.7

T_C= 25℃

Single-Pulse Avalanche Current

Single-Pulse Avalanche Energy ²⁾

I_AS

E_AS

625

℃

Operating Junction and Storage Temperature Range

T_J, T_stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJC

Max.

Unit

Thermal Resistance from Junction to Case

Thermal Resistance from Junction to Ambient

℃

R_θJA

℃

¹⁾Pulse Test: Pulse Width

≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%, Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T_J(MAX)= 150°C

²⁾Limited by T_J(MAX)

Starting T_j= 25℃, L = 0.5 mH, I_AS= 50 A, V_GS= 10 V.

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Dated: 15/06/2022 Rev: 02

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